Влияние собственного поля электронов и Г-Х междолинного рассеяния на резонансное туннелирование в двухбарьерных структурах

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 121-123
Главный автор: Воронков, А. А
Формат: Статья в сборнике
Язык:Russian
Предметы:
Online-ссылка:Перейти в каталог НБ ТГУ
LEADER 01665naa a2200313 c 4500
001 koha000721269
005 20211112103240.0
008 211112s2002 ru f 100 0 rus d
035 |a koha000721269 
039 |z 26  |b 26 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
100 1 |9 155187  |a Воронков, А. А 
245 1 0 |a Влияние собственного поля электронов и Г-Х междолинного рассеяния на резонансное туннелирование в двухбарьерных структурах  |c А. А. Воронков 
504 |a Библиогр.: 7 назв. 
653 |a туннелирование 
653 |a полупроводниковое материалы 
653 |a арсенид галлия 
653 |a арсенид алюминия 
653 |a квантоворазмерные полупроводниковые структуры 
653 |a резонансно-туннельные эффекты 
653 |a гетероструктуры 
653 |a электроны 
653 |a труды ученых ТГУ  
773 0 |t Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции  |d Томск, 2002  |g С. 121-123  |w 0183-75860 
852 4 |a RU-ToGU  |n ru 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=721269 
908 |a статья 
942 |2 udc 
999 |c 721269  |d 721269