Влияние собственного поля электронов и Г-Х междолинного рассеяния на резонансное туннелирование в двухбарьерных структурах

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 121-123
Главный автор:	Воронков, А. А
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	туннелирование полупроводниковое материалы арсенид галлия арсенид алюминия квантоворазмерные полупроводниковые структуры резонансно-туннельные эффекты гетероструктуры электроны труды ученых ТГУ
Online-ссылка:	Перейти в каталог НБ ТГУ


LEADER	01665naa a2200313 c 4500
001	koha000721269
005	20211112103240.0
008	211112s2002 ru f 100 0 rus d
035			\|a koha000721269
039			\|z 26 \|b 26
040			\|a RU-ToGU \|b rus \|c RU-ToGU
100	1		\|9 155187 \|a Воронков, А. А
245	1	0	\|a Влияние собственного поля электронов и Г-Х междолинного рассеяния на резонансное туннелирование в двухбарьерных структурах \|c А. А. Воронков
504			\|a Библиогр.: 7 назв.
653			\|a туннелирование
653			\|a полупроводниковое материалы
653			\|a арсенид галлия
653			\|a арсенид алюминия
653			\|a квантоворазмерные полупроводниковые структуры
653			\|a резонансно-туннельные эффекты
653			\|a гетероструктуры
653			\|a электроны
653			\|a труды ученых ТГУ
773	0		\|t Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции \|d Томск, 2002 \|g С. 121-123 \|w 0183-75860
852	4		\|a RU-ToGU \|n ru
856			\|y Перейти в каталог НБ ТГУ \|u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=721269
908			\|a статья
942			\|2 udc
999			\|c 721269 \|d 721269

Похожие документы