Влияние собственного поля электронов и Г-Х междолинного рассеяния на резонансное туннелирование в двухбарьерных структурах

Влияние собственного поля электронов и Г-Х междолинного рассеяния на резонансное туннелирование в двухбарьерных структурах

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 121-123
Главный автор:	Воронков, А. А
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	туннелирование полупроводниковое материалы арсенид галлия арсенид алюминия квантоворазмерные полупроводниковые структуры резонансно-туннельные эффекты гетероструктуры электроны труды ученых ТГУ
Online-ссылка:	Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Влияние Г-X рассеяния на гетерограницах GaAs (001) туннелировании электронов в структурах AlAs/GaAs (111) ВАХ резонансно-туннельных структур
по: Воронков, А. А

Туннельный ток в двухбарьерных гетероструктурах GaN/AlxGa1-x N(0001) и GaAs/AlxGa1-x As(001)
по: Разжувалов, Александр Николаевич

Туннелирование электронов в структурах GaAs/AlAs(001) с плавным потенциалом на гетерограницах
по: Гриняев, Сергей Николаевич

XL-смешивание при туннелировании электронов в структурах AlAs/GaAs (111)
по: Караваев, Геннадий Федорович

Туннелирование электронов в структурах (GaAs)n/(AlAs)m(001) с тонкими слоями
по: Караваев, Геннадий Федорович

Влияние морфологии гетерограниц на транспорт двумерных электронов в GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами

Туннельные явления в напряженных вюртцитных гетероструктурах с сильными встроенными полями диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 ; 01.04.02
по: Разжувалов, Александр Николаевич
Публикация: (2009)

Резонансное туннелирование электронов в напряженных вюрцитных структурах соединений A3B5
по: Разжувалов, Александр Николаевич

Модели рассеяния дырок на гетерограницах GaAs/AlAs
по: Чернышов, Виктор Николаевич

Исследование влияния режимов выращивания и легирования активной области Ик-диодов на основе GaAs(Si) на эффективность излучения
по: Гущин, Сергей Михайлович

GaAs/InGaAs микро-, нанотрубки и перспективы их применения в микромеханике и биологии
по: Принц, Александр Викторович

Исследование возможности создания мощного излучающего диода ИК-диапазона на основе одинарной гетероструктуры GaAs-AlGaAs

Туннелирование электронов в структурах GaAs/AlAs(111) с плавным потенциалом на гетерограницах
по: Гриняев, Сергей Николаевич

Резонансное туннелирование электронов в гетероструктурах на основе нитридов соединений A3B5
по: Разжувалов, Александр Николаевич

Электростатические поля, связанные с оптическими колебаниями в сверхрешетке (GaAs)n(AlAs)m[001]
по: Тютерев, Валерий Григорьевич

"Сверхрешетчатая" модель плавной гетерограницы GaAs/AlAs (001)
по: Караваев, Геннадий Федорович

Молекулярно-лучевая эпитаксия фосфорсодержащих соединений с использованием потока фосфора, получаемого при термическом разложении InP

Туннелирование электронов в гетероструктурах AlAs/AlxGa1-xAl(110). Псевдопотенциальные расчеты и модель
по: Караваев, Геннадий Федорович

Частотная зависимость поверхностной проводимости полуизолирующего арсенида галлия
по: Лисюк, Ю. В

Арсенид галлия - как материал для микромеханики
по: Юрченко, Василий Иванович

Электронные процессы в гетероструктурах AlAs/AlxGa1-xAs (110)
по: Егунов, Руслан Михайлович

GaAs маска для нанолитографии
по: Принц, Виктор Яковлевич

Получение монокристаллов высокочистого полуизолирующего арсенида галлия методом Чохральского с жидкостной герметизацией расплава
по: Марков, Александр Владимирович физик

Дозиметрические свойства монокристаллов GaAs Te

Формирование свободных сверхтонких пленок GaAs и их применение в микромеханике
по: Принц, Виктор Яковлевич

Evalution of the EL2 concentraion in GaAs crystals grown from melts with variable composition

Влияние времени термообработки на изменение свойств в объеме монокристаллов полуизолирующего арсенида галлия
по: Литвинова, Марина Борисовна

Эпитаксиальные слои GaAs и твердые растворы на его основе, получаемые методом MOCVD
по: Вертопрахов, Владимир Никифорович

Низкобарьерные диоды Шоттки на основе Al/n-GaAs с дельта-легированным приповерхностным слоем

Conductivity in the heavy proton-irradiated GaAs
по: Brudnyi, Valentin N.

Модель неоднородного фотоэлектрического преобразователя
по: Юрченко, Алексей Васильевич

Мощные диоды Ганна 8-мм диапазона: GaAs, InP
по: Лукаш, Виталий Сергеевич

Исследование детекторных структур на основе полуизолирующего арсенида галлия

Двухдолинная модель резонансного туннелирования электронов в гетероструктурах
по: Воронков, А. А.

Измерение скорости насыщения электронов в квантовой яме AlGaAs/InGaAs
по: Айзенштат, Геннадий Исаакович

Transport of non-equilbrium carriers in space charge region of p-ν-n detectors from Si GaAs

Структуры на основе GaAs, компенсированного глубокими центрами
по: Толбанов, Олег Петрович

Характеризация радиационных эффектов в арсениде галлия
по: Брудный, Валентин Натанович

Особенности производства кристаллов для СИД на основе гетероструктур GaAlAs

Взаимодействие медленных электронов с поверхностью арсенида галлия при различных воздействиях на нее
по: Асалханов, Юлий Иннокентьевич