Влияние собственного поля электронов и Г-Х междолинного рассеяния на резонансное туннелирование в двухбарьерных структурах
Опубликовано в: : | Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 121-123 |
---|---|
Главный автор: | Воронков, А. А |
Формат: | Статья в сборнике |
Язык: | Russian |
Предметы: | |
Online-ссылка: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Похожие документы
-
Влияние Г-X рассеяния на гетерограницах GaAs (001) туннелировании электронов в структурах AlAs/GaAs (111) ВАХ резонансно-туннельных структур
по: Воронков, А. А -
Туннельный ток в двухбарьерных гетероструктурах GaN/AlxGa1-x N(0001) и GaAs/AlxGa1-x As(001)
по: Разжувалов, Александр Николаевич -
Туннелирование электронов в структурах GaAs/AlAs(001) с плавным потенциалом на гетерограницах
по: Гриняев, Сергей Николаевич -
XL-смешивание при туннелировании электронов в структурах AlAs/GaAs (111)
по: Караваев, Геннадий Федорович -
Туннелирование электронов в структурах (GaAs)n/(AlAs)m(001) с тонкими слоями
по: Караваев, Геннадий Федорович