|
|
|
|
| LEADER |
01754naa a2200325 c 4500 |
| 001 |
koha000721732 |
| 005 |
20211124152425.0 |
| 008 |
211118s2002 ru f 100 0 rus d |
| 035 |
|
|
|a koha000721732
|
| 039 |
|
|
|z 26
|b 26
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Получение пленок GaAs на подложках из кремния и арсенида галлия в квазизамкнутом объеме
|c Б. Л. Агапов, И. Н. Арсентьев, Н. Н. Безрядин [и др.]
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: 7 назв.
|
| 653 |
|
|
|a физика полупроводников
|
| 653 |
|
|
|a полупроводниковые соединения
|
| 653 |
|
|
|a арсенид галлия
|
| 653 |
|
|
|a кремний
|
| 653 |
|
|
|a молекулярно-лучевая эпитаксия
|
| 653 |
|
|
|a квазизамкнутый объем
|
| 653 |
|
|
|a полупроводниковые материалы
|
| 653 |
|
|
|a эпитаксиальные слои
|
| 700 |
1 |
|
|a Агапов, Борис Львович
|9 152884
|
| 700 |
1 |
|
|a Арсентьев, И. Н.
|9 763535
|
| 700 |
1 |
|
|a Безрядин, Николай Николаевич
|9 378993
|
| 773 |
0 |
|
|t Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции
|d Томск, 2002
|g С. 189-191
|w 0183-75860
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|n ru
|
| 856 |
|
|
|y Перейти в каталог НБ ТГУ
|u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=721732
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 942 |
|
|
|2 udc
|
| 999 |
|
|
|c 721732
|d 721732
|
