Влияние реконструкции поверхности GaAs (001) на развитие микрорельефа при молекулярно-пучковой эпитаксии

Bibliographic Details
Published in:	Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 211-213
Main Author:	Попова, А. В
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	физика полупроводников полупроводники арсенид галлия полупроводниковые приборы молекулярно-пучковая эпитаксия эпитаксиальные слои экспериментальные исследования полупроводниковые материалы
Online Access:	Перейти в каталог НБ ТГУ


LEADER	01593naa a2200301 c 4500
001	koha000721803
005	20211119105732.0
008	211119s2002 ru f 100 0 rus d
035			\|a koha000721803
039			\|z 26 \|b 26
040			\|a RU-ToGU \|b rus \|c RU-ToGU
100	1		\|9 384805 \|a Попова, А. В
245	1	0	\|a Влияние реконструкции поверхности GaAs (001) на развитие микрорельефа при молекулярно-пучковой эпитаксии \|c А. В. Попова
504			\|a Библиогр.: 7 назв.
653			\|a физика полупроводников
653			\|a полупроводники
653			\|a арсенид галлия
653			\|a полупроводниковые приборы
653			\|a молекулярно-пучковая эпитаксия
653			\|a эпитаксиальные слои
653			\|a экспериментальные исследования
653			\|a полупроводниковые материалы
773	0		\|t Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции \|d Томск, 2002 \|g С. 211-213 \|w 0183-75860
852	4		\|a RU-ToGU \|n ru
856			\|y Перейти в каталог НБ ТГУ \|u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=721803
908			\|a статья
942			\|2 udc
999			\|c 721803 \|d 721803

Similar Items