Влияние реконструкции поверхности GaAs (001) на развитие микрорельефа при молекулярно-пучковой эпитаксии
Published in: | Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 211-213 |
---|---|
Main Author: | Попова, А. В |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
- Использование поверхности (311)B GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии сверхрешеток GaAs/AlAs
- Влияние плотности потока молекул As2 и As4 на свойства слоев нелегированного и легированного кремнием GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах
- Исследование ростовых поверхностей вицинальных ᶲº(001) граней GaAs, выращенных МЛЭ при низкой температуре
- Молекулярно-лучевая эпитаксия GaAs при низких температурах: влияние избыточного мышьяка и легирующих примесей на структуру и свойства слоев
- Получение пленок GaAs на подложках из кремния и арсенида галлия в квазизамкнутом объеме