|
|
|
|
LEADER |
01881naa a2200337 c 4500 |
001 |
koha000722114 |
005 |
20240322185220.0 |
008 |
211124s2002 ru f 100 0 rus d |
035 |
|
|
|a koha000722114
|
039 |
|
|
|z 26
|b 100
|
040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
245 |
1 |
0 |
|a Влияние облучения реакторными нейтронами на структуру монокристаллов InP
|c Д. И. Меркурисов, В. Т. Бублик, М. И. Воронова [и др.]
|
653 |
|
|
|a физика полупроводников
|
653 |
|
|
|a полупроводники
|
653 |
|
|
|a полупроводниковые приборы
|
653 |
|
|
|a монокристаллы
|
653 |
|
|
|a фосфид индия
|
653 |
|
|
|a облучение реакторными нейтронами
|
653 |
|
|
|a экспериментальные исследования
|
653 |
|
|
|a полупроводниковые материалы
|
700 |
1 |
|
|9 763685
|a Меркурисов, Денис Игоревич
|
700 |
1 |
|
|a Бублик, Владимир Тимофеевич
|9 225629
|
700 |
1 |
|
|9 378943
|a Воронова, Марина Игоревна
|
700 |
1 |
|
|a Колин, Николай Георгиевич
|9 180598
|
700 |
1 |
|
|9 570476
|a Щербачев, Кирилл Дмитриевич
|
773 |
0 |
|
|t Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции
|d Томск, 2002
|g С. 248-249
|w 0183-75860
|
852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|n ru
|
856 |
|
|
|y Перейти в каталог НБ ТГУ
|u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=722114
|
908 |
|
|
|a статья
|
942 |
|
|
|2 udc
|
999 |
|
|
|c 722114
|d 722114
|