Влияние облучения реакторными нейтронами на структуру монокристаллов InP
Published in: | Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 248-249 |
---|---|
Other Authors: | Меркурисов, Денис Игоревич, Бублик, Владимир Тимофеевич, Воронова, Марина Игоревна, Колин, Николай Георгиевич, Щербачев, Кирилл Дмитриевич |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Образование радиационных дефектов в арсениде галлия
by: Пешев, Владимир Викторович - Ионно-лучева изоляция слоев GaAs n- и p- типа проводимости
-
Электрофизические свойства и чувствительность к всестороннему сжатию облученного электронами GaP
by: Брудный, Валентин Натанович - Дефектообразование в монокристаллах InSb, облученных найтронами
-
Влияние облучения ионами водорода на электрофизические свойства металлургически и ядерно-легированного InSb
by: Брудный, Валентин Натанович