Детекторы ионизирующих излучений на основе эпитаксиальных структур из арсенида галлия
Published in: | Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 278-280 |
---|---|
Other Authors: | Айзенштат, Геннадий Исаакович, Гермогенов, Валерий Петрович, Гущин, Сергей Михайлович, Потапов, Александр Иванович, Толбанов, Олег Петрович, Тяжев, Антон Владимирович, Шмаков, Олег Геннадьевич |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Эпитаксиальные структуры GaAs:Sn, Cr выращенные методом жидкофазной эпитаксии
by: Гущин, Сергей Михайлович - Исследование детекторов ионизирующих излучений, изготовленных на основе эпитаксиального арсенида галлия
-
Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия
by: Толбанов, Олег Петрович - Детекторы на основе полуизолирующего арсенида галлия для медицинских рентгеновских аппаратов
- Детекторы рентгеновского излучения и y-излучений на основе эпитаксиальных структур из арсенида галлия