Вторичная структура кристаллов и эффект Ганна - новые подходы и перспективы
Published in: | Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 344-345 |
---|---|
Main Author: | Веснин, Юрий Иванович |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Применение радиационных технологий в производстве диодов Ганна
by: Градобоев, Александр Васильевич -
Исследование характеристик диодов Ганна с пространственно неоднородными параметрами электрических полей в диапазоне длин от 1 до 30 мкм
by: Юрченко, Василий Иванович -
Арсенидогаллиевые тонкослойные датчики магнитной индукции на основе эффекта Холла
by: Карлова, Гелия Федоровна - Эффективные источники поляризованных электронов на основе тонких напряженных слоев GaAsP
-
Рост полупроводниковых кристаллов и пленок
Published: (1984)