Влияние технологических факторов на параметры солнечных элементов

Влияние технологических факторов на параметры солнечных элементов

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 359-360
Другие авторы:	Михайлов, Михаил Михайлович 1941-, Каримбаев, Дамир Джамаллитдинович, Копылова, Т. А., Веревкин, А. С.
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	физика полупроводников полупроводники полупроводниковые приборы оптоэлектронные приборы солнечные элементы арсенид галлия вольт-амперные характеристики экспериментальные исследования полупроводниковые материалы
Online-ссылка:	Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Тонкопленочные просветвляющие покрытия на основе Ta2O5 для солнечных элементов на GaAs
по: Чистоедова, Инна Анатольевна

Эффективные источники поляризованных электронов на основе тонких напряженных слоев GaAsP

Радиационная стойкость GaAs ФЭП под действием высокоэнергетических электронов с энергией 3МэВ

Моделирование деградации фотоэлектрических преобразователей на основе арсенида галлия при воздействии потока высокоэнергетических электронов

Автоматизация вакуумной обработки GaAs фотокатодов в промышленной установке сборки приборов

Исследование низкочастотных флуктуаций тока в прямой ветви ВАХ структур с барьером Шоттки на GaAs в области низких температур
по: Филонов, Николай Григорьевич

Исследование механизмов влияния пространственно неоднородных сильных электрических полей на характеристики диодов Ганна в широком диапазоне отношений поперечного размера на размер в направлении движения домена
по: Юрченко, Василий Иванович

Разработка и исследование методов измерения параметров структур, кристаллов и диодов Ганна, имеющих пространственно неоднородные характеристики с высоким отношением D/L поперечного размера D к продольному L

Природа "низкотемпературной аномалии" в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки
по: Божков, Владимир Григорьевич

Устойчивость к внешним воздействиям гетероструктур Me/Ga2Se3/GaAs с барьером Шоттки

Влияние обработки в низкоэнергетической плазме CF4 и последующего отжига на образование дефектов в псевдоморфных GaAs/AlGaAs/InGaAs/GaAs гетерострукткрах для мощных сверхвысокочастотных транзисторов

Влияние реконструкции поверхности GaAs (001) на развитие микрорельефа при молекулярно-пучковой эпитаксии
по: Попова, А. В

Электрофизика GaAs слоев и особенности характеристик детекторов частиц высоких энергий на их основе

Полупроводниковые сенсоры высоких, низких и быстропеременных давлений

Образование радиационных дефектов в арсениде галлия
по: Пешев, Владимир Викторович

Упорядочение латеральной неоднородности в контакте TiBx-GaAs

Многоканальная микросхема на арсениде галлия для регистрации, усиления и первичной обработки сигналов

Влияние гидростатического давления на вольт-амперные характеристики ???-y-n структур из GaAs: Fe
по: Вилисов, Анатолий Александрович

Способ подготовки поверхности полупроводника и электрофизические характеристики выпрямляющих контактов с арсенидом галлия N-типа покрытий никеля, иридия, иридий-никеля, иридий-золота
по: Батенков, Владислав Александрович

Светоизлучающие диоды
по: Вилисов, Анатолий Александрович

Вторичная структура кристаллов и эффект Ганна - новые подходы и перспективы
по: Веснин, Юрий Иванович

Арсенидогаллиевые тонкослойные датчики магнитной индукции на основе эффекта Холла
по: Карлова, Гелия Федоровна

Comparative study of SI GaAs detectors with Schottky barriers and epitaxial hing-doped layers

Влияние обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых сенсоров рентгеновского излучения
по: Шаймерденова, Лейла Калитаевна

Особенности производства кристаллов для СИД на основе гетероструктур GaAlAs

Детекторный элемент с оптическим выводом информации на GaAs

Исследование влияния материала электродов сенсибилизированных солнечных элементов на емкостные и электрические характеристики

Монолитная матрица излучателей на основе гетероструктур GaAlAs

Исследование электронных состояний в тройных квантовых ямах на основе GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения

Исследование электронных процессов в GaAs детекторах
по: Айзенштат, Геннадий Исаакович

Сверхбыстродействующая элементная база интегральных схем на арсениде галлия

Тонкие пленки Ta2O5 для конденсаторов в интегральных схемах на арсениде галлия

Влияние размеров контактов на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых детекторов, компенсированных хромом
по: Шаймерденова, Лейла Калитаевна

Детекторы заряженных частиц на основе радиационно-модифицированного полуизолирующего арсениде галлия

Влияние плотности потока молекул As2 и As4 на свойства слоев нелегированного и легированного кремнием GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах

Self-consistent calculation of capacitance-voltage profiles of delta-doped GaAs structures. Theory and experiment
по: Gurtovoi, V. L.

Температурные зависимости вольт-амперных характеристик GaAs:Cr-структур c различными контактами
по: Цуканов, Владимир Андреевич

Зависимости между параметрами эллипсометрии и потенциального барьера твердых тел при удалении слоя естественного окисла с их поверхности
по: Асалханов, Юлий Иннокентьевич

Получение и исследование свойств эпитаксиальных слоев GaN, выращенных мос-гидричным методом на подложках сапфира с использованием различных буферных слоев

Особенности вольт-амперных характеристик диодных структур на основе арсенида галлия, компенсированного примесями с глубокими уровнями
по: Гаман, Василий Иванович 1929-2021