Моделирование деградации фотоэлектрических преобразователей на основе арсенида галлия при воздействии потока высокоэнергетических электронов

Моделирование деградации фотоэлектрических преобразователей на основе арсенида галлия при воздействии потока высокоэнергетических электронов

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 366-367
Другие авторы:	Юрченко, Алексей Васильевич, Зыков, Владимир Михайлович, Юнда, Николай Терентьевич, Бакин, Николай Николаевич, Лошманов, Д. А
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	физика полупроводников полупроводники полупроводниковые приборы оптоэлектронные приборы солнечные элементы арсенид галлия фотоэлектрические преобразователи гетерогенные системы высокоэнергетические электроны экспериментальные исследования полупроводниковые материалы
Online-ссылка:	Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Радиационная стойкость GaAs ФЭП под действием высокоэнергетических электронов с энергией 3МэВ

Эффективные источники поляризованных электронов на основе тонких напряженных слоев GaAsP

Влияние технологических факторов на параметры солнечных элементов

Автоматизация вакуумной обработки GaAs фотокатодов в промышленной установке сборки приборов

Тонкопленочные просветвляющие покрытия на основе Ta2O5 для солнечных элементов на GaAs
по: Чистоедова, Инна Анатольевна

Современные приборы на основе арсенида галлия
по: Шур, Михаил Саулович
Публикация: (1991)

О практическом применении арсенида галлия, легированного переходными металлами
по: Хлудков, Станислав Степанович

Исследование дефектности сложных поликристаллических слоев арсенида галлия для фотопреобразователей
по: Юрченко, Алексей Васильевич

Выращивание монокристаллов арсенида галлия методом вертикальной направленной кристаллизации

Формирование комплексов с антиструктурными дефектами AsGa в монокристаллах арсенида галлия
по: Литвинова, Марина Борисовна

Применение средств автоматизации для исследования фотоэлектрических свойств полупроводниковых приборов
по: Ким, С. А.

Физика полупроводниковых приборов в 2 кн.
по: Зи, С. М.
Публикация: (1984)

Моделирование роста квантовых точек Ge/Si с учетом взаимодействия между островками
по: Лозовой, Кирилл Александрович

Введение в физику полупроводников [учебное пособие для студентов вузов, обучающихся по специальности "Полупроводники и диэлектрики" и "Технология специальных материалов электронной техники"]
по: Фистуль, Виктор Ильич 1927-2011
Публикация: (1984)

Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов
по: Амброзяк, А.
Публикация: (1970)

Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"
Публикация: (1999)

Перспективные разработки ОАО "НИИПП" на базе арсенидогаллиевой технологии

Детекторы ионизирующих излучений на основе эпитаксиальных структур из арсенида галлия

Восьмая Российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, Томск 1-4 октября 2002 программа
Публикация: (2002)

Светоизлучающие диоды
по: Вилисов, Анатолий Александрович

Реферативный журнал. 23А. Электровакуумные и газоразрядные устройства. Раздел 23АБ. Электровакуумные и твердотельные приборы. 23Б. Полупроводниковые приборы сводный том
Публикация: (2008)

Образование радиационных дефектов в арсениде галлия
по: Пешев, Владимир Викторович

Statistical regularities of the dislocation structure formation in GaAs crystals grown by the LEC method

Арсенид галлия Сборник
Публикация: (1974)

Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V"(3-5 октября 2006 г., Томск, Россия) материалы конференции
Публикация: (2006)

Удаление остаточного резиста с поверхности арсенида галлия в кислород- или водоросрдержащих средах

Изделия микромеханики на основе арсенида галлия
по: Юрченко, Василий Иванович

Исследование распределения удельного сопротивления по пластине GaAs:Cr
по: Щербаков, Иван Дмитриевич

Особенности некоторых физических свойств GaAs при концентрации 10¹⁸ смˉ³. Возможное влияние АСД GaAs
по: Кухто, О. Л

Многоканальная микросхема на арсениде галлия для регистрации, усиления и первичной обработки сигналов

Детекторы на основе полуизолирующего арсенида галлия для медицинских рентгеновских аппаратов

Полупроводниковые приборы Учебник для вузов
по: Пасынков, Владимир Васильевич
Публикация: (2002)

Полупроводниковые приборы учебник для вузов
по: Пасынков, Владимир Васильевич
Публикация: (2003)

Диффузионные структуры и приборы на основе GaAs, легированного примесями переходных элементов группы железа
по: Хлудков, Станислав Степанович

Термодинамика антиструктурных дефектов в GaAs
по: Кухто, О. Л

Исследование электронных состояний в тройных квантовых ямах на основе GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения

Исследование фотоэлектрических и электрофизических свойств арсенида галлия, легированного медью

Термодинамический аспект разрушения пластин арсенида галлия при импульсном отжиге
по: Смирнов, Серафим Всеволодович

Формирование и определение мышьяка на поверхности арсенида галлия
по: Зарубина, Оксана Николаевна

Сверхбыстродействующая элементная база интегральных схем на арсениде галлия