LEADER 02032naa a2200361 c 4500
001 koha000722505
005 20240411161331.0
008 211201s2002 ru f 100 0 rus d
035 |a koha000722505 
039 |z 26  |b 100 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Радиационная стойкость GaAs ФЭП под действием высокоэнергетических электронов с энергией 3МэВ  |c А. В. Юрченко, В. М. Зыков, Н. Т. Юнда [и др.]  
653 |a физика полупроводников  
653 |a полупроводники 
653 |a полупроводниковые приборы 
653 |a оптоэлектронные приборы 
653 |a солнечные элементы 
653 |a арсенид галлия 
653 |a фотоэлектрические преобразователи 
653 |a высокоэнергетические электроны 
653 |a экспериментальные исследования 
653 |a полупроводниковые материалы 
700 1 |a Юрченко, Алексей Васильевич  |9 70471 
700 1 |a Зыков, Владимир Михайлович  |9 224881 
700 1 |a Юнда, Николай Терентьевич  |9 432885 
700 1 |a Бакин, Николай Николаевич  |9 659243 
700 1 |a Лошманов, Д. А  |9 347615 
773 0 |t Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции  |d Томск, 2002  |g С. 368  |w 0183-75860 
852 4 |a RU-ToGU  |n ru 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=722505 
908 |a статья 
942 |2 udc 
999 |c 722505  |d 722505