Радиационная стойкость GaAs ФЭП под действием высокоэнергетических электронов с энергией 3МэВ
Published in: | Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 368 |
---|---|
Other Authors: | Юрченко, Алексей Васильевич, Зыков, Владимир Михайлович, Юнда, Николай Терентьевич, Бакин, Николай Николаевич, Лошманов, Д. А |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
- Моделирование деградации фотоэлектрических преобразователей на основе арсенида галлия при воздействии потока высокоэнергетических электронов
-
Электронные параметры CdGeSa2, облученного электронами (2 МэВ) и протонами (5МэВ)
by: Брудный, Валентин Натанович - Автоматизация вакуумной обработки GaAs фотокатодов в промышленной установке сборки приборов
- Эффективные источники поляризованных электронов на основе тонких напряженных слоев GaAsP
-
Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"
Published: (1999)