|
|
|
|
LEADER |
01955naa a2200349 c 4500 |
001 |
koha000722529 |
005 |
20240625154600.0 |
008 |
211202s2002 ru f 100 0 rus d |
035 |
|
|
|a koha000722529
|
039 |
|
|
|z 26
|b 100
|
040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
100 |
1 |
|
|a Брудный, Валентин Натанович
|9 72071
|
245 |
1 |
0 |
|a Электронные параметры CdGeSa2, облученного электронами (2 МэВ) и протонами (5МэВ)
|c В. Н. Брудный, Т. В. Ведерникова, А. И. Потапов
|
504 |
|
|
|a Библиогр.: 5 назв.
|
653 |
|
|
|a физика полупроводников
|
653 |
|
|
|a полупроводники
|
653 |
|
|
|a полупроводниковые приборы
|
653 |
|
|
|a сложные полупроводниковые системы
|
653 |
|
|
|a тройные полупроводниковые соединения
|
653 |
|
|
|a облучение электронами
|
653 |
|
|
|a облучение протонами
|
653 |
|
|
|a экспериментальные исследования
|
653 |
|
|
|a полупроводниковые материалы
|
653 |
|
|
|a труды ученых ТГУ
|
700 |
1 |
|
|a Ведерникова, Татьяна Владимировна
|9 426084
|
700 |
1 |
|
|a Потапов, Александр Иванович
|9 477437
|
773 |
0 |
|
|t Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции
|d Томск, 2002
|g С. 373-375
|w 0183-75860
|
852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|n ru
|
856 |
|
|
|y Перейти в каталог НБ ТГУ
|u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=722529
|
908 |
|
|
|a статья
|
942 |
|
|
|2 udc
|
999 |
|
|
|c 722529
|d 722529
|