LEADER 01955naa a2200349 c 4500
001 koha000722529
005 20240625154600.0
008 211202s2002 ru f 100 0 rus d
035 |a koha000722529 
039 |z 26  |b 100 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
100 1 |a Брудный, Валентин Натанович  |9 72071 
245 1 0 |a Электронные параметры CdGeSa2, облученного электронами (2 МэВ) и протонами (5МэВ)  |c В. Н. Брудный, Т. В. Ведерникова, А. И. Потапов 
504 |a Библиогр.: 5 назв. 
653 |a физика полупроводников  
653 |a полупроводники 
653 |a полупроводниковые приборы 
653 |a сложные полупроводниковые системы 
653 |a тройные полупроводниковые соединения 
653 |a облучение электронами 
653 |a облучение протонами 
653 |a экспериментальные исследования 
653 |a полупроводниковые материалы 
653 |a труды ученых ТГУ 
700 1 |a Ведерникова, Татьяна Владимировна  |9 426084 
700 1 |a Потапов, Александр Иванович  |9 477437 
773 0 |t Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции  |d Томск, 2002  |g С. 373-375  |w 0183-75860 
852 4 |a RU-ToGU  |n ru 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=722529 
908 |a статья 
942 |2 udc 
999 |c 722529  |d 722529