Электронные параметры CdGeSa2, облученного электронами (2 МэВ) и протонами (5МэВ)
Published in: | Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 373-375 |
---|---|
Main Author: | Брудный, Валентин Натанович |
Other Authors: | Ведерникова, Татьяна Владимировна, Потапов, Александр Иванович |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Электрофизические свойства и чувствительность к всестороннему сжатию облученного электронами GaP
by: Брудный, Валентин Натанович - Радиационная стойкость GaAs ФЭП под действием высокоэнергетических электронов с энергией 3МэВ
- Ионно-лучева изоляция слоев GaAs n- и p- типа проводимости
-
Влияние облучения ионами водорода на электрофизические свойства металлургически и ядерно-легированного InSb
by: Брудный, Валентин Натанович -
Фотопроводимость и спектры поглощения арсенида галия, облученного протонами с энергией 5 Мэв диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Редько, Всеволод Петрович 1937-
Published: (1971)