Structure of the CdxZn1-xTe solid solution - the material for photoelectronics
Published in: | Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 389-391 |
---|---|
Other Authors: | Yurjev, G. S., Marenrin, S. F., Gus'kov, V. N., Natarovsky, A. M. |
Format: | Book Chapter |
Language: | English |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Излучательная рекомбинация в Cdx Hg1-x Te
by: Мехтиев, Ариф Шафаят оглы
Published: (1991) -
Локальные уровни собственных дефектов в GaP и ZnGeP2
by: Воеводин, Валерий Георгиевич - Multichannel magnetometer on the base of III-V semiconductor sensors
-
Электрические поля размерно-квантованных фононов в полупроводниковых сверхрешетках
by: Тютерев, Валерий Григорьевич -
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника [журнал] : Сборник научных трудов
Published: (1982)