Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. 01.04.10

Библиографическая информация
Главный автор: Филонов, Николай Григорьевич
Соавтор: Томский государственный университет
Формат: Книга
Язык:Russian
Публикация: Томск 2000
Предметы:
Online-ссылка:Перейти в каталог НБ ТГУ
LEADER 01568nam a2200253 4500
001 vtls000081461
003 RU-ToGU
005 20240329133800.0
008 091028s2000 ru a f mb 000 0 rus d
035 |a 0084-63060 
039 9 |a 200910282210  |b 100  |c 200601031314  |d VLOAD  |y 200511061620  |z Александр Эльверович Гилязов 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU  |e PSBO 
100 1 |a Филонов, Николай Григорьевич  |9 69594 
245 1 0 |a Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства  |b Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. 01.04.10  |c Том. гос. ун-т 
260 |a Томск  |c 2000  |9 687986 
300 |a 35 с.  |b ил. 
504 |a Библиогр.: с. 32-35 
650 7 |a Физика полупроводников и диэлектриков  |2 БВАК1995N4  |9 56418 
653 |a авторефераты диссертаций. 
710 2 |a Томский государственный университет.  |9 53646 
852 4 |a RU-ToGU  |h 1-871804к  |i 53  |n ru 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=80689 
999 |c 80689  |d 80689 
952 |0 0  |1 0  |4 0  |6 1871804К_53  |7 0  |9 172966  |a RU-ToGU  |b RU-ToGU  |c 10024  |d 2021-04-02  |g 10.00  |l 0  |o 1-871804к 53  |p 13820000202046  |r 2021-04-02  |t 1  |w 2021-04-02  |y 1