Арсенид галлия, легированный примесями с глубокими энергетическими уровнями, структура и приборы на его основе

Bibliographic Details
Published in:	Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.) С. 112-115
Main Author:	Хлудков, Станислав Степанович
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	сложные полупроводники полупроводниковые наноструктуры арсенид галлия арсенидгаллиевые приборные структуры легирование экспериментальные исследования труды ученых ТГУ


LEADER	01498naa a2200265 4500
001	koha000847486
005	20241023122627.0
008	220301s2003 ru f 110 0 rus d
035			\|a koha000847486
040			\|a RU-ToGU \|c RU-ToGU \|b rus
100	1		\|a Хлудков, Станислав Степанович
245	1	0	\|a Арсенид галлия, легированный примесями с глубокими энергетическими уровнями, структура и приборы на его основе \|c С. С. Хлудков
504			\|a Библиогр.: 17 назв.
653			\|a сложные полупроводники
653			\|a полупроводниковые наноструктуры
653			\|a арсенид галлия
653			\|a арсенидгаллиевые приборные структуры
653			\|a легирование
653			\|a экспериментальные исследования
653			\|a труды ученых ТГУ
773	0		\|t Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.) \|d Томск, 2003 \|g С. 112-115 \|w to000472355 \|z 5895031927
852	4		\|a Ru-ToGU \|n ru
908			\|a статья
942			\|2 udc
999			\|c 847486 \|d 847486

Similar Items