Арсенид галлия, легированный примесями с глубокими энергетическими уровнями, структура и приборы на его основе
Published in: | Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.) С. 112-115 |
---|---|
Main Author: | Хлудков, Станислав Степанович |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: |
Similar Items
-
Эффект фотонного увлечения в арсениде галлия, легированном глубокими примесями
by: Антонов, В. В. -
Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами
Published: (2016) -
Восьмая Российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, Томск 1-4 октября 2002 программа
Published: (2002) -
Исследование физико-химических закономерностей поведения арсенида галлия в водных растворах в связи с электроосаждением металлов и свойства контактов металл - арсенид галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук
by: Лаврищева, Ида Тимофеевна
Published: (1978) -
Арсенид галлия [cборник
Published: (1974)