Получение предельно высокоомного GaAs диффузией хрома в форминг-газе
Published in: | Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.) С. 154-156 |
---|---|
Main Author: | Ардышев, Михаил Вячеславович |
Other Authors: | Прудаев, Илья Анатольевич |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: |
Similar Items
-
Поглощение ИК-излучения в высокоомном GaAs, сформированном диффузией хрома
by: Будницкий, Давыд Львович -
Оптические и фотоэлектрические характеристики высокоомного GaAs
by: Будницкий, Давыд Львович -
Исследование электронных процессов в GaAs детекторах
by: Айзенштат, Геннадий Исаакович -
Расчет электрических характеристик детекторных структур на основе арсенида галлия
by: Зенкова, Анастасия Дмитриевна -
Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом
by: Щербаков, Иван Дмитриевич