Comparative analysis of efficiency droop in InGaN/GaN lightemitting diodes for electrical and optical pumping conditions

Comparative analysis of efficiency droop in InGaN/GaN lightemitting diodes for electrical and optical pumping conditions

Библиографическая информация
Опубликовано в: :Journal of Physics: Conference Series Vol. 541. P. 012055 (1-4)
Главный автор: Kopyev, Viktor V.
Корпоративные авторы: Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ
Другие авторы: Prudaev, Ilya A., Romanov, I. S.
Формат: Статья в журнале
Язык:English
Предметы:
светодиоды
квантовые ямы
фотолюминесценция
эффективность
статьи в журналах
Online-ссылка:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000494766
Перейти в каталог НБ ТГУ

Internet

http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000494766
Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы