Comparative analysis of efficiency droop in InGaN/GaN lightemitting diodes for electrical and optical pumping conditions

Comparative analysis of efficiency droop in InGaN/GaN lightemitting diodes for electrical and optical pumping conditions

Bibliographic Details
Published in:	Journal of Physics: Conference Series Vol. 541. P. 012055 (1-4)
Main Author:	Kopyev, Viktor V.
Corporate Authors:	Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ
Other Authors:	Prudaev, Ilya A., Romanov, I. S.
Format:	Article
Language:	English
Subjects:	светодиоды квантовые ямы фотолюминесценция эффективность статьи в журналах
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000494766 Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN

Photoluminescence and terahertz generation in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diode heterostructures under laser excitation

Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates

Effect of the barrier thickness on the optical properties of InGaN/GaN/Al2O3 (0001) LED heterostructures

Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках

Влияние короткопериодной сверхрешетки InGaN/GaN на эффективность светодиодов синего диапазона волн в области высокого уровня оптической накачки

Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN

Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN
by: Копьев, Виктор Васильевич

Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN

Падение эффективности в светодиодных структуах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
by: Копьев, Виктор Васильевич

Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке

Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Падение эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
by: Копьев, Виктор Васильевич

Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Влияние сверхрешетки на внутреннюю квантовую эффективность светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN

Температурная зависимость квантового выхода структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции

Кинетика фотолюминесценции двумерного электронного газа в гетероструктуре GaN/AlGaN
by: Коржавина, Н. С.

Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока

Сравнительный анализ падения эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при электрических и оптических условиях накачки
by: Копьев, Виктор Васильевич

Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

Внутренняя квантовая эффективность светодиодных структур при различных распределениях носителей заряда по квантовым ямам InGaN/GaN
by: Романов, Иван Сергеевич

Сравнительный анализ зависимостей емкости и фотопроводимости от напряжения в гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN

Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Фотолюминесценция структур с GaN квантовыми точками в матрице AlN
by: Ри, Д. Д.

Спектры фото- и электролюминесценции гетероструктур со множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN
by: Бурмистров, Евгений Романович

On the effect of ballistic overflow on the temperature dependence of the quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes

Расчет характеристик синего светодиода GaN с одной квантовой ямой
by: Шабанов, Генрих Александрович

Application of laser module with driver based on avalanche S-diode for light-emitting diode structure characterization
by: Kopyev, Viktor V.

Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density

Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN
by: Брудный, Валентин Натанович

Low-temperature transport of charge carriers in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes
by: Prudaev, Ilya A.

GaN-Based Laser Diodes Towards Longer Wavelengths and Short Pulses /
by: Scheibenzuber, Wolfgang G.
Published: (2012)

Electron irradiation degradation of AlGaInP/GaAs light‐emitting diodes

Численное моделирование светодиодных структур на основе GaN/InGaN
by: Иванова, Елизавета Сергеевна

Structure evolution and photoluminescence of Lu3(Al,Mg)2(Al,Si)3O12:Ce3+ phosphors: new yellow-color converters for blue LED-driven solid state lighting

Фононный спектр LED-гетероструктуры InGaN/GaN с квантовыми ямами
by: Давыдов, Валерий Николаевич

Поляризационные свойства MQW-гетероструктур из InGaN/GaN при нагреве
by: Давыдов, Валерий Николаевич

Разработка и исследование композитных люминесцирующих материалов для светодиодов белого свечения

Исследование лазерного отстрела пленки GaN от эпитаксиальной подложки излучением эксимерного KrF-лазера

Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Копьев, Виктор Васильевич
Published: (2019)