Свойства оптических волноводов на основе кристаллов со структурой силленита

Свойства оптических волноводов на основе кристаллов со структурой силленита

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Современные проблемы физики, технологии и инновационного развития : сборник статей молодых ученых С. 74-76
Другие авторы:	Бородин, Максим Викторович, Фролова, Марина Николаевна, Саликаев, Юрий Рафаэльевич, Егорышева, Анна Владимировна, Волков, Вячеслав Владимирович
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	физика полупроводников физика диэлектриков полупроводниковые низкоразмерные структуры физика полупроводниковых низкоразмерных структур технология полупроводниковых низкоразмерных структур интегральная оптика оптические волноводы эпитаксиальные слои титанаты висмута экспериментальные исследования
Online-ссылка:	Перейти в каталог НБ ТГУ

Похожие документы

Проводимость кристаллов ниобата лития, легированных примесью MgO
по: Булычева, Анна Александровна

Электронные свойства полупроводниковых соединений III-V группы
по: Ханин, Даниил Владимирович

Исследование детекторов ионизирующих излучений, изготовленных на основе эпитаксиального арсенида галлия

Фоновое ограничение фотоэлектрических параметров эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ
по: Филатов, Михаил Федорович

Особенности кинетики отклика сенсоров H2 и CH4 на основе тонких пленок Pt/SnO2:Sb

Лазер на парах стронция с высокими параметрами генерации
по: Сидоров, И. В

Расчет перекрестных помех при считывании наложенных высокоэффективных голограмм, записанных в фотополимерных материалах

Влияние температуры и влажности окружающей среды на газочувствительные свойства сенсоров метана

Влияние режимов ВЧ магнетронного напыления на свойства тонких пленок диоксида олова

Особенности имплантации ионов аргона и азота в эпитаксиальные пленки КРТ, выращенные методом МЛЭ
по: Григорьев, Денис Валерьевич

Неразрушающий метод контроля полуизолирующего арсенида галлия для детекторов ионизирующего излучения
по: Ерохин, А. Н.

Комплексообразование и фотопроцессы в молекулах PRODAN и кумарин
по: Жаркова, Оксана Михайловна

Автоматизированный комплекс для исследования электрических характеристик МДП-структур
по: Дзядух, Станислав Михайлович

О статистике зародышеобразования при кристаллизации из молекулярных пучков
по: Филимонов, Сергей Николаевич

Динамика фотоиндуцированного поглощения света в кристаллах титаната висмута на разных длинах волн
по: Суховерхов, Ю. М.

Формирование фоторефрактивных голограмм в кристалле титаната висмута при фазовой модуляции сигнального пучка
по: Колегов, Алексей Анатольевич

Фотоиндуцированное поглощение, наведенное в титанате висмута лазерными импульсами наносекундной длительности
по: Лапоухов, А. С.

Фотоиндуцированное поглощение света в кристаллах титаната висмута, легированных различными примесями
по: Бочанова, Н. В.

Динамика фоторефрактивного отклика в кристалле титаната висмута, помещенном во внешнее электрическое поле
по: Плесовских, Андрей Михайлович

Фотоиндуцированное поглощение в кристаллах Bi12TiO20 с различной стехиометрией

Исследование динамики встречного двухволнового взаимодействия в фоторефрактивном кристалле титаната висмута среза (100)

Измерения параметров полупроводниковых материалов
по: Ковтонюк, Николай Филиппович
Публикация: (1970)

Влияние реконструкции поверхности GaAs(001) на развитие микрорельефа при молекулярно-пучковой эпитаксии
по: Попов, А. В.

Фотоиндуцированное поглощение света в кристалле титана висмута, легированного кальцием и галлием

Дифракция световых пучков на амплитудных и фазовых решетках в кубических электрооптических пьезокристаллах
по: Красноперов, В. Ю.

Исследование фоторефрактивного отклика протонзамещенных волноводов в кристаллах ниобата лития
по: Конева, И. С.

Исследование морфологии поверхности эпитаксиальных слоев InAs, выращенных методом ГФЭ
по: Анисимова, Любовь Леонидовна

Всесоюзная конференция "Тройные полупроводники и их применение", 8-10 октября 1979 г. тезисы докладов
Публикация: (1979)

Исследования вицинальных поверхностей эпитаксиальных слоев GaAs(001), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре
по: Анисимова, Любовь Леонидовна

Физические основы электроники [конспект лекций]
по: Глазачев, Александр Владимирович
Публикация: (2009)

Исследование оптических и фотоэлектрических свойств детекторных структур на основе эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs
по: Беспальков, М. А.

Фотоэлектрические свойства неоднородных МДП-структур
по: Соколов, В. Н.

Рентгенотопографические исследования дислокационной структуры эпитаксиальных слоев GeSi, выращенных на вицинальных подложках Si (001)

Введение в физику и технологию элементной базы ЭВМ и компьютеров [учебное пособие для подготовки студентов неинженерных специальностей, изучающих программирование и информатику]
по: Леонов, Василий Петрович 1945-
Публикация: (2008)

Исследование волноводов на кристалле ниобата лития, сформированных имплантацией гелия и диффузией меди

Нестехиометрический рост InGaAs из молекулярных пучков при пониженной температуре
по: Субач, Сергей Владимирович

Всесоюзная конференция "Тройные полупроводники и их применение" тезисы докладов
Публикация: (1976)

Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок [сборник докладов : в 2 ч.]
Публикация: (1975)

Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники учебное пособие для вузов
по: Старосельский В. И. Виктор Игоревич
Публикация: (2022)

Влияние условий роста на морфологию поверхности эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии