LEADER 01893naa a2200337 4500
001 koha000895014
005 20230809100710.0
008 220528s2004 ru f 000 0drus d
035 |a koha000895014 
039 |z 26  |b 100 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
100 1 |a Филатов, Михаил Федорович  |9 497538 
245 1 0 |a Фоновое ограничение фотоэлектрических параметров эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ  |c М. Ф. Филатов 
504 |a Библиогр.: 3 назв. 
653 |a физика полупроводников 
653 |a физика диэлектриков 
653 |a полупроводниковые низкоразмерные структуры 
653 |a физика полупроводниковых низкоразмерных структур 
653 |a технология полупроводниковых низкоразмерных структур 
653 |a кадмий-ртуть-теллур 
653 |a эпитаксиальные пленки 
653 |a молекулярно-лучевая эпитаксия  
653 |a фотоэлектрические параметры  
653 |a экспериментальные исследования 
653 |a труды ученых ТГУ 
773 0 |t Современные проблемы физики, технологии и инновационного развития : сборник статей молодых ученых  |d Томск, 2004  |g С. 111-113  |z 5751116933  |w 0204-87760 
852 4 |a Ru-ToGU  |n ru 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=895014 
908 |a статья 
942 |2 udc 
999 |c 895014  |d 895014