Фоновое ограничение фотоэлектрических параметров эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ
Published in: | Современные проблемы физики, технологии и инновационного развития : сборник статей молодых ученых С. 111-113 |
---|---|
Main Author: | Филатов, Михаил Федорович |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Особенности имплантации ионов аргона и азота в эпитаксиальные пленки КРТ, выращенные методом МЛЭ
by: Григорьев, Денис Валерьевич - Свойства оптических волноводов на основе кристаллов со структурой силленита
-
Проводимость кристаллов ниобата лития, легированных примесью MgO
by: Булычева, Анна Александровна - Исследование детекторов ионизирующих излучений, изготовленных на основе эпитаксиального арсенида галлия
-
Электронные свойства полупроводниковых соединений III-V группы
by: Ханин, Даниил Владимирович