Effect of gallium arsenide charge carrier life time on the generation and detection efficiency of continuous and pulsed terahertz radiation
A configuration and test samples of photoconductive dipole antennas based on SI-GaAs:Cr and LT-GaAs for generation and detection of terahertz radiation are developed. Their operating characteristics in the pulsed mode and in the mode of operation as photomixers are experimentally investigated.
Опубликовано в: : | Russian physics journal Vol. 63, № 11. P. 1997-2003 |
---|---|
Другие авторы: | Kobtsev, Daniil A., Tyazhev, Anton V., Kolesnikova, Irina I., Redkin, Ruslan A. |
Формат: | Статья в журнале |
Язык: | English |
Предметы: | |
Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000901390 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Похожие документы
- SI-GaAs<Cr> photoconductive dipole antennas for terahertz generation: the influence of antenna length and shape
-
Фотопроводящие дипольные антенны на основе LT-GaAs и SI-GaAs:Cr для генерации и детектирования терагерцового излучения
по: Кобцев, Даниил Александрович - Определение влияния времени жизни носителей заряда арсенида галлия на эффективность непрерывной и импульсной генерации и детектирования излучения терагерцового диапазона частот
-
Фотопроводящие дипольные антенны терагерцового диапазона на основе высокоомных арсенид галлиевых структур
по: Кобцев, Даниил Александрович - Charge carrier transport and deep levels recharge in avalanche s-diodes based on GaAs