Влияние примеси Ве на анизотропию магнетосопротивления эпитаксиальных слоев GaMnAs

Влияние примеси Ве на анизотропию магнетосопротивления эпитаксиальных слоев GaMnAs

Исследовано влияние дополнительного легирования бериллием на анизотропию магнетосопротивления эпитаксиальных слоев GaMnAs, полученных методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что в GaMnAs:Be в области полей свыше 2000 Э наблюдается анизотропия магнетосопротивления, изме...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 65, № 10. С. 114-119
Main Author: Парчинский, Павел Борисович
Other Authors: Газизулина, Алиса Сергеевна, Насиров, Абдуманап Абулмаджидович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
легирование бериллием
анизотропия
отрицательное магнетосопротивление
эпитаксиальные слои
ферромагнитное упорядочение
статьи в журналах
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000923391
Перейти в каталог НБ ТГУ
Description
Summary:Исследовано влияние дополнительного легирования бериллием на анизотропию магнетосопротивления эпитаксиальных слоев GaMnAs, полученных методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что в GaMnAs:Be в области полей свыше 2000 Э наблюдается анизотропия магнетосопротивления, измеренного вдоль кристаллических осей [110] и [1͞10], проявляющаяся в различном характере температурной зависимости его величины. Данная анизотропия является следствием наличия в слоях GaMnAs:Be пространственно-ориентированных структур, возникающих в объеме эпитаксиального слоя в процессе его роста.
Bibliography:Библиогр.: 16 назв.
ISSN:0021-3411
Access:Ограниченный доступ

Similar Items