Влияние примеси Ве на анизотропию магнетосопротивления эпитаксиальных слоев GaMnAs
Исследовано влияние дополнительного легирования бериллием на анизотропию магнетосопротивления эпитаксиальных слоев GaMnAs, полученных методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что в GaMnAs:Be в области полей свыше 2000 Э наблюдается анизотропия магнетосопротивления, изме...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 65, № 10. С. 114-119 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000923391 Перейти в каталог НБ ТГУ |