|
|
|
|
LEADER |
02250nab a2200325 c 4500 |
001 |
koha000923392 |
005 |
20241126111825.0 |
007 |
cr | |
008 |
221108|2022 ru s c rus d |
024 |
7 |
|
|a 10.17223/00213411/65/10/120
|2 doi
|
035 |
|
|
|a koha000923392
|
040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
100 |
1 |
|
|a Басалаев, Юрий Михайлович
|
245 |
1 |
0 |
|a Первопринципное исследование кристаллов AlSi2P и GaGe2As
|c Ю. М. Басалаев, О. Г. Басалаева
|
336 |
|
|
|a Текст
|
337 |
|
|
|a электронный
|
504 |
|
|
|a Библиогр.: 39 назв.
|
506 |
|
|
|a Ограниченный доступ
|
520 |
3 |
|
|a Методами теории функционала плотности получены равновесные параметры кристаллической решетки. Изучены электронное строение и колебательные свойства гипотетических кристаллов AlSi2P и GaGe2As аналогов супер- твердого кристалла BC2N. Рассчитаны энергетическая зонная структура, длинноволновые частоты колебаний в точке Г, модули упругости, коэффициенты Пуассона и микротвердости. Установлена роль элементов IV группы и определены вклады колебаний отдельных атомов в колебательные моды кристалла.
|
653 |
|
|
|a халькопириты
|
653 |
|
|
|a оптические фононные моды
|
653 |
|
|
|a модули упругости
|
653 |
|
|
|a теоретические исследования
|
655 |
|
4 |
|a статьи в журналах
|
700 |
1 |
|
|a Басалаева, Оксана Геннадьевна
|
773 |
0 |
|
|t Известия высших учебных заведений. Физика
|d 2022
|g Т. 65, № 10. С. 120-126
|x 0021-3411
|w 0026-80960
|
852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
856 |
4 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000923392
|
908 |
|
|
|a статья
|
999 |
|
|
|c 923392
|d 923392
|