Первопринципное исследование кристаллов AlSi2P и GaGe2As
Методами теории функционала плотности получены равновесные параметры кристаллической решетки. Изучены электронное строение и колебательные свойства гипотетических кристаллов AlSi2P и GaGe2As аналогов супер- твердого кристалла BC2N. Рассчитаны энергетическая зонная структура, длинноволновые частоты к...
Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 65, № 10. С. 120-126 |
---|---|
Main Author: | Басалаев, Юрий Михайлович |
Other Authors: | Басалаева, Оксана Геннадьевна |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000923392 |
Similar Items
-
Электронные, колебательные и упругие свойства кристаллов Zn2SeTe со структурой антихалькопирита
by: Басалаев, Юрий Михайлович - Новые непрямозонные соединения LiPH2 и NaPN2 со структурой халькопирита
-
Submonolayer adsorption of Na onto the Cu(110) surface: Structure and vibrational properties
by: Rusina, G. G. - Моделирование структуры и фононных спектров гипотетических кристаллов BeXAS2 (X = Si, Ge, Sn)
- Electron-phonon interaction on the (110) surface of Ag and Cu