|
|
|
|
| LEADER |
05216nam a2200661 c 4500 |
| 001 |
koha000925804 |
| 005 |
20241023122721.0 |
| 006 |
m o d |
| 007 |
cr | |
| 008 |
221216s2022 ru ad fsb 1 rus d |
| 020 |
|
|
|a 9785907572058
|
| 035 |
|
|
|a koha000925804
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 080 |
|
|
|a 546.681'19:539.219.3:539.219.1
|
| 080 |
|
|
|a 546.681'19:548.4:539.219.3
|
| 080 |
|
|
|a 621.315.592:546.681'19:539.219.3
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Диффузия примесей и собственных точечных дефектов в арсениде галлия
|c С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, И. В. Ивонин ; науч. ред. И. В. Ивонин ; Нац. исслед. Томский гос. ун-т
|
| 260 |
|
|
|a Томск
|b Издательство Томского государственного университета
|c 2022
|
| 300 |
|
|
|a 246 с.
|b ил., табл.
|
| 336 |
|
|
|a Текст
|
| 337 |
|
|
|a разные средства доступа
|
| 500 |
|
|
|a Посвящается 70-летию радиофизического факультета Томского государственного университета
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр. в конце глав
|
| 520 |
3 |
|
|a В монографии систематизированы наиболее важные, по нашему мнению, данные, касающиеся процесса диффузии в арсениде галлия собственных точечных дефектов, донорных, акцепторных примесей, примесей с глубокими энергетическими уровнями, образованию дислокаций в процессе диффузии примесей. Обсуждены механизмы диффузионных процессов. Для широкого круга специалистов – научных сотрудников, инженеров, преподавателей, аспирантов и студентов старших курсов, специализирующихся в области физики и технологии полупроводниковых материалов и микроэлектроники.
|
| 653 |
|
|
|a арсенид галлия
|
| 653 |
|
|
|a полупроводниковые материалы
|
| 653 |
|
|
|a диффузия в полупроводниках
|
| 653 |
|
|
|a арсенид галлия, диффузия примесей
|
| 653 |
|
|
|a арсенид галлия, диффузия точечных дефектов
|
| 653 |
|
|
|a точечные дефекты арсенида галлия, диффузия
|
| 653 |
|
|
|a примеси донорные арсенида галлия, диффузия
|
| 653 |
|
|
|a примеси акцепторные арсенида галлия, диффузия
|
| 653 |
|
|
|a арсенид галлия, образование дислокаций
|
| 653 |
|
|
|a диффузионные слои арсенида галлия, легированные примесями
|
| 653 |
|
|
|a химические элементы примесные
|
| 653 |
|
|
|a точечные дефекты собственные, самодиффузия
|
| 653 |
|
|
|a арсенид галлия нелегированный, электрофизические характеристики
|
| 653 |
|
|
|a арсенид галлия дырочный, диффузия примесей
|
| 653 |
|
|
|a n-слои арсенида галлия дырочного
|
| 653 |
|
|
|a p-n слои арсенида галлия дырочного
|
| 653 |
|
|
|a арсенид галлия, гетероструктуры приповерхностные
|
| 653 |
|
|
|a арсенид галлия, диффузия примесей переходных металлов
|
| 653 |
|
|
|a арсенид галлия, π-v-n структуры
|
| 653 |
|
|
|a арсенид галлия, высокоомные диффузионные слои
|
| 653 |
|
|
|a арсенид галлия, дислокации генерируемые
|
| 653 |
|
|
|a арсенид галлия, ферромагнитные включения
|
| 655 |
|
4 |
|a монографии
|
| 700 |
1 |
|
|a Хлудков, Станислав Степанович
|
| 700 |
1 |
|
|a Прудаев, Илья Анатольевич
|
| 700 |
1 |
|
|a Толбанов, Олег Петрович
|
| 700 |
1 |
|
|a Ивонин, Иван Варфоломеевич
|
| 710 |
2 |
|
|a Томский государственный университет.
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|n ru
|h 621.3
|i Д503
|
| 856 |
4 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000925804
|
| 999 |
|
|
|c 925804
|d 925804
|
| 952 |
|
|
|0 0
|1 0
|4 0
|6 6213_Д503
|7 0
|a RU-ToGU
|b RU-ToGU
|c 10005
|d 2023-03-24
|g 800.00
|o 621.3 Д503
|p 13820001048483
|r 2023-08-24
|y 9
|
| 952 |
|
|
|0 0
|1 0
|4 0
|6 2058789
|7 0
|a RU-ToGU
|b RU-ToGU
|c 10024
|d 2023-03-24
|g 800.00
|o 2-058789
|p 13820001048481
|r 2024-04-10
|y 1
|
| 952 |
|
|
|0 0
|1 0
|4 0
|6 2058790
|7 0
|a RU-ToGU
|b RU-ToGU
|c 10024
|d 2023-03-24
|g 800.00
|o 2-058790
|p 13820001048482
|r 2024-04-10
|y 4
|
