LEADER 02512nam a2200445 4500
001 vtls000096194
003 RU-ToGU
005 20210921210343.0
008 010328s1977 ru a f b 001 0 rus d
035 |a 0099-54760 
039 9 |a 201203221505  |c 200604111912  |d VLOAD  |y 200511062103  |z Александр Эльверович Гилязов 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU  |e PSBO 
041 1 |a rus  |h eng 
080 |a 537.311.322:548.4 
100 1 |a Милнс, А. Г.  |9 187256 
245 1 0 |a Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках  |c А. Г. Милнс; Пер. с англ. Г. С. Пекаря; Под ред. М. К. Шейнкмана 
246 1 1 |a Deep impurities in semiconductors 
260 |a М.  |b Мир  |c 1977  |9 701712 
300 |a 562 с.  |b ил. 
504 |a Библиогр.: с. 448-546 
504 |a Предм. указ.: с. 547-558 
653 |a полупроводники 
653 |a примеси в полупроводниках 
653 |a неравновесные процессы 
653 |a проводимость примесных зон 
653 |a примесные зоны полупроводников 
653 |a энергетические уровни 
653 |a примесные зоны кремниевые 
653 |a примесные зоны германиевые 
653 |a рекомбинация примесных зон 
653 |a фотопроводимость примесных зон 
653 |a переходные процессы примесных зон 
653 |a ионизация ударная примесных зон 
852 4 |a RU-ToGU  |h 537  |i М604  |n ru 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=95799 
952 |0 0  |1 0  |4 0  |6 1259559К  |7 0  |9 200973  |a RU-ToGU  |b RU-ToGU  |c 10024  |d 2021-04-03  |g 2.23  |l 0  |o 1-259559к  |p 13820000518144  |r 2026-01-13 00:00:00  |w 2021-04-03  |y 1 
952 |0 0  |1 0  |4 0  |6 1268555  |7 0  |9 200974  |a RU-ToGU  |b RU-ToGU  |c 10024  |d 2021-04-03  |g 4.06  |l 0  |o 1-268555  |p 13820000529662  |r 2026-01-14 00:00:00  |w 2021-04-03  |y 4 
952 |0 0  |1 0  |4 0  |6 1266740  |7 0  |9 200975  |a RU-ToGU  |b RU-ToGU  |c 10024  |d 2021-04-03  |g 2.23  |l 0  |o 1-266740  |p 13820000518216  |r 2026-01-14 00:00:00  |w 2021-04-03  |y 4 
952 |0 0  |1 0  |4 0  |6 53_М604  |7 0  |9 200976  |a RU-ToGU  |b RU-ToGU  |c 10023  |d 2021-04-03  |g 4.06  |i 89.225.23  |l 0  |o 53 М604  |p 13820000257534  |r 2021-04-03 00:00:00  |t 1  |w 2021-04-03  |y 5 
999 |c 95799  |d 95799