Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках
| Главный автор: | Милнс, А. Г. |
|---|---|
| Формат: | Книга |
| Язык: | Russian |
| Публикация: |
М.
Мир
1977
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Похожие документы
-
Спектры и динамика оптических переходов редкоземельных ионов в кристаллах
по: Знаменский, Николай Владимирович
Публикация: (2008) -
Корреляция радиационного изменения ионной электропроводности и накопления F-центров в кристаллах NaCL и KCL, содержащих ионы Nd3+ и Ce3+ диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Назина, Л. А.
Публикация: (1968) -
Фоточувствительность полупроводниковых структур с глубокими примесями
по: Карагеоргий-Алкалаев, Павел Михайлович
Публикация: (1981) -
Исследование пламени светильного газа как источника возбуждения кандолюминесценции диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Брик, Олег Григорьевич
Публикация: (1965) -
Применение метода фототока p - n перехода для измерения параметров полупроводниковых материалов
по: Котина, Ирина Михайловна
Публикация: (1970)
