Атомная и электронная структура и квантовый конфайнмент в нанокристаллитах кремния. Часть I. Нанокристаллы кремния, погруженные в матрицу оксида кремния

В первой части обзора рассмотрены способы синтеза, структура и фотолюминесцентные свойства нанокристаллитов кремния, погруженных в матрицу оксида кремния, в частности, пористый кремний и нанокремний, полученный методами химического осаждения из газовой фазы (Chemical vapor deposition, CVD), и...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 2. С. 77-83
Other Authors: Томилин, Феликс Николаевич, Мельчакова, Юлия Антоновна, Артюшенко, Полина Владимировна, Рогова, Анастасия Владимировна, Аврамов, Павел Вениаминович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000997899
Перейти в каталог НБ ТГУ
LEADER 04473nab a2200397 c 4500
001 koha000997899
005 20230920130238.0
007 cr |
008 230313|2023 ru s c rus d
024 7 |a 10.17223/00213411/66/2/77  |2 doi 
035 |a koha000997899 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Атомная и электронная структура и квантовый конфайнмент в нанокристаллитах кремния. Часть I. Нанокристаллы кремния, погруженные в матрицу оксида кремния  |c Ф. Н. Томилин, Ю. А. Мельчакова, П. В. Артюшенко [и др.] 
336 |a Текст 
337 |a электронный 
504 |a Библиогр.: 61 назв. 
506 |a Ограниченный доступ 
520 3 |a В первой части обзора рассмотрены способы синтеза, структура и фотолюминесцентные свойства нанокристаллитов кремния, погруженных в матрицу оксида кремния, в частности, пористый кремний и нанокремний, полученный методами химического осаждения из газовой фазы (Chemical vapor deposition, CVD), ионной имплантации, напыления, и реакционного испарения. Показано, что основными факторами, влияющими на величину запрещенной щели нанокристаллитов кремния, являются эффекты квантового ограничения и различного рода дефекты, включая поверхностные, как самих нанокристаллов кремния, так и SiO2-матрицы. Для пористого кремния было доказано, что эффекты размерного ограничения являются причиной эффективной люминесценции из-за проявления фононов в резонансно-возбужденной области фотолюминесценции. Особое внимание уделено исследованиям природы запрещенной щели и показано, что она является непрямой как для пористого кремния, так и для различ- ного типа кремниевых квантовых точек. Для всех нанообъектов наблюдаются четко выраженные эффекты размерного ограничения, при этом зависимость величины запрещенной щели от эффективных размеров для различных образцов разная. Показано, что роль поверхности нанокристаллов кремния и Si/SiO2 интерфейсов в формировании электронной структуры является определяющей. 
653 |a кремниевые кластеры 
653 |a атомные структуры 
653 |a электронные структуры 
653 |a оптические свойства 
653 |a экспериментальные исследования 
655 4 |a статьи в журналах  |9 879358 
700 1 |a Томилин, Феликс Николаевич  |9 504670 
700 1 |a Мельчакова, Юлия Антоновна  |9 504696 
700 1 |a Артюшенко, Полина Владимировна  |9 765931 
700 1 |a Рогова, Анастасия Владимировна  |9 504671 
700 1 |a Аврамов, Павел Вениаминович  |9 504697 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2023  |g Т. 66, № 2. С. 77-83  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000997899 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=997899 
908 |a статья 
039 |z 22379  |b 100 
999 |c 997899  |d 997899