Влияние структуры на перенос тока в пленках теллурида кадмия разной толщины
Предложен механизм проводимости поликристаллических высокоомных пленок теллурида кадмия на основе модели потенциальных барьеров между кристаллитами. Согласно этой модели, понижение высоты потенциальных барьеров при внешнем смещении сопровождается ростом проводимости пленок и имеет активационную при...
Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 1. С. 30-35 |
---|---|
Other Authors: | Султонов, Низом, Акобирова, Азиза Тошпулатовна, Хамрокулов, Раджабмурод Бадриддинович, Рахматов, Бадурдин Амируллоевич, Наимов, Умеджон Розибекович, Гафуров, Одилджон Вадудович |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000998240 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
- Defect study in molecular beam epitaxy-grown HgCdTe films with activated and unactivated arsenic
-
Измерение спектральных характеристик эпитаксиальных пленок теллурида кадмия ртути
by: Усманов, С. Р. - Радиационные эффекты в кристаллах теллурида кадмия-ртути
- Сигнальные и темновые свойства инфракрасных барьерных детекторов на основе теллурида кадмия ртути
-
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок теллурида кадмия ртути, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Ходкевич, Д. В.