The Blue Laser Diode : GaN Based Light Emitters and Lasers/

The Blue Laser Diode : GaN Based Light Emitters and Lasers/

Bibliographic Details
Main Authors:	Nakamura, Shuji (Author), Fasol, Gerhard (Author)
Format:	Book
Language:	English
Published:	Berlin; Heiderberg: Springer-Verlag 1997
Subjects:	лазеры нитрид галлия диод голубой излучатель легкий флюоресцентная трубка
Online Access:	Перейти в каталог НМБ СибГМУ

Similar Items

Photoluminescence and terahertz generation in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diode heterostructures under laser excitation

Low-temperature transport of charge carriers in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes
by: Prudaev, Ilya A.

Hopping transport of charge carriers in LEDs based on multiple InGaN/GaN quantum wells

Intravital molecular tagging velocimetry of cerebral blood flow using Evans Blue

Падение эффективности в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
by: Копьев, Виктор Васильевич

Исследование лазерного отстрела пленки GaN от эпитаксиальной подложки излучением эксимерного KrF-лазера

Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates

Импульсная накачка полупроводникового лазера с драйвером на основе лавинного S-диода
by: Копьев, Виктор Васильевич

Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

Temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN led structures at high current density

Generation of terahertz radiation in LED heterostructures with multiple InGaN/GaN quantum wells at two-photon excitation by femtosecond

Драйвер на основе лавинного S-диода для питания полупроводникового лазера
by: Копьев, Виктор Васильевич

Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Необратимый характер реакции осаждения GaN в хлорид-гидридном процессе

Оптические функции и электронная структура гексагонального w-GaN
by: Стерхова, М. А.

Эпитаксиальные слои GaN, выращенные хлорид-гидридным методом, и их свойства

Ростовые дефекты в светодиодных структурах InGaN/GaN
by: Брудный, Валентин Натанович

Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN

The surface roughening of GaN by wet chemical etching

Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN

Электронные свойства и глубокие ловушки облученного электронами n-GaN

Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Мультимедийный лазерный излучатель на парах металлов для решения задач атмосферной оптики

Формирование морфологии на поверхности n-GaN методом жидкостного химического травления
by: Засухин, Дмитрий Иннокентьевич

Особенности энергетического спектра электронов гексагонального GaN и его твердых растворов YxGa1-xN (Y ≡ B, Al, In)
by: Литинский, Аркадий Овсеевич

Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке

Влияние сверхрешетки на внутреннюю квантовую эффективность светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN

Моделирование характеристик нормально закрытого AlGaN/GaN HEMT в пакете Sentaurus TCAD
by: Курчин, Константин Николаевич

Электрофизические свойства облученных электронами эпитаксиальных пленок GaN1

Электронные свойства p-GaN(Mg), облученного реакторными нейтронами

Влияние температуры роста на статистические параметры морфологии поверхности GaN
by: Новиков, Вадим Александрович

Оптические и фотоэлектрические свойства светодиодных гетероструктур на основе GaN

Пассивные МИС для создания СВЧ-усилителей мощности на основе дискретных GaN-транзисторов

Генерация терагерцового излучения в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при двухфотонном возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами

Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN

Многоволновые лазерные системы на парах металлов для научных и технологических применений

Оптимизация технологических параметров роста пленок GaN:Mg

Влияние диффузии магния в активную область светодиодных структур с квантовыми ямами InGan/Gan на внутреннюю квантовую эффективность

Влияние короткопериодной сверхрешетки InGaN/GaN на эффективность светодиодов синего диапазона волн в области высокого уровня оптической накачки

Source separation approach for the analysis of spatially resolved multiply excited autofluorescence spectra during optical clearing of ex vivo skin