Светоизлучающие свойства перспективных нанокристаллических Si/SiC структур: учебно-методический комплекс/

Светоизлучающие свойства перспективных нанокристаллических Si/SiC структур: учебно-методический комплекс/

Библиографическая информация
Главные авторы:	Костишко, Б. М. (Автор), Нагорнов, Ю. С. (Автор)
Соавтор:	Ульяновский университет(Ульяновск)
Формат:	Книга
Язык:	Russian
Публикация:	Ульяновск: УлГУ 2006
Серии:	Коммерциализация наукоемких продуктов и технологий в сфере нанотехнологий
Предметы:	КРЕМНИЙ ДИСТАНЦИОННОЕ ОБУЧЕНИЕ
Online-ссылка:	Перейти в каталог НМБ СибГМУ

Похожие документы

Структурно-примесные и электрофизические свойства системы Si-SiO2
по: Зайцев, Николай Алексеевич
Публикация: (1993)

Localization of electrons in dome-shaped GeSi/Si islands

Influence of modifying mixtures on Si crystal formation in Al-7%Si alloy

Электрические и фотоэлектрические характеристики гетеропереходов с-Si/пористый - Si/CdS

Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
по: Духан, Рахаф М. Х.

Визит королю Si [О кремнии]
по: Зубехин, Алексей Павлович
Публикация: (1991)

Механические и тепловые свойства керамик SiC-BeO и SiC-AIN Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.07.
по: Хосамельдин, Ахмед Абдельджавад
Публикация: (2001)

Comparative analysis of germanium-silicon quantum dots formation on Si(100), Si(111) and Sn/Si(100) surfaces
по: Lozovoy, Kirill A.

Исследование электрических характеристик структур TiO2-Si

Исследование Si/Ge p-i-n структур с квантовыми точками Ge методом адмиттансной спектроскопии

Investigation of the bimodal character of RHEED intensity oscillations during homoepitaxial growth of Si/Si(100)
по: Sokolov, А. S.

Определение зависимости длины диффузии атомов Si на поверхности при гомоэпитаксиальном росте на Si(100)
по: Кукенов, Олжас Игоревич

Моделирование современных перспективных кремниевых технологий, основанных на управлении процессами кластеризации и преципитации кислорода в кремнии: учебно-методический комплекс/
по: Светухин, В. В., et al.
Публикация: (2006)

Кинетика кластеризации и преципитации примесей и легирующих элементов в перспективных материалах электронной и атомной техники: учебно-методический комплекс/
по: Светухин, В. В., et al.
Публикация: (2006)

Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией

Interstitial H2 in 29Si
по: Lavrov, E. V.

Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

Инфракрасные детекторы с квантовыми точками Ge/Si

Comparison of the growth processes of germanium quantum dots on the Si (100) and Si(111) surfaces
по: Kokhanenko, Andrey P.

Влияние условий приготовления и термической обработки на физико-механические свойства сплавов Al-30-50%Si
по: Ушакова, В. В.

Phonon bottleneck in p-type Ge/Si quantum dots

Импульсно-плазменное модифицирование поверхности детонационных покрытий на основе Ti-Si-C

First principles calculation of rovibrational spectra for SiH4 molecule

Suppression of hole relaxation in small sized Ge/Si quantum dots

Эволюция ударных волн в керамике SiC

Свойства высокотемпературных омических контактов к гетероструктурам 3C-SiC/Si автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Колесникова, Анна Алексеевна
Публикация: (2006)

The growth of SiGe nanostructures by molecular beam epitaxy

Release of labile Si from forest and agricultural soils

Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники

Моделирование радиационной повреждаемости металлов методом молекулярной динамики: учебно-методический комплекс/
по: Светухин, В. В., et al.
Публикация: (2006)

Спектры оптического поглощения Si с квантовыми точками Ge
по: Брудный, Валентин Натанович

Люминесценция нанокристаллического Si в структурах (Si+CaF2)/CaF2 в видимом диапазоне спектра

Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
по: Коханенко, Андрей Павлович

RHEED patterns from 2x1 and 1x2 superstructures during epitaxy of Si on Si(100)
по: Dyukov, I. Y.

Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge

Синтез поликристаллического CdSiP2 в градиентном температурном поле
по: Курасова, Анна Сергеевна

Structure of Ti-Al-Si-N gradient coatings
по: Ovchinnikov, Stanislav V.

Влияние структуры на трибомеханические свойства спеченных композитов (Al-12Si)-Sn
по: Рединский, Никита Андреевич

Двунаправленный фототок дырок в слоях квантовых точек Ge/Si

Development of technology for producing silica from diatomite and other Si-containing materials