Методы исследования материалов и структур в электронике. Рентгеновская дифракционная микроскопия монография
В курсе лекций изложены основы динамической теории, геометрические аспекты формирования изображений и основные положения дифракционной теории формирования контраста на дефектах в разных схемах дифракции: схема отражения по Брэггу и Лауэ. Приведен качественный анализ характера контраста на дефек...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Book |
| Published: |
Москва
МИСиС
2006
|
| Subjects: | |
| Online Access: | ЭБС Консультант студента Перейти в каталог НТБ ТГАСУ |
| Summary: | В курсе лекций изложены основы динамической теории, геометрические аспекты формирования изображений и основные положения дифракционной теории формирования контраста на дефектах в разных схемах дифракции: схема отражения по Брэггу и Лауэ. Приведен качественный анализ характера контраста на дефектах различного типа. Для более полного усвоения материала приводится большой объем иллюстраций.<br>Необходимо особо отменить, что подобного курса лекций, отвечающего современному уровню и объему данного раздела, в числе читаемых для указанных специальностей в настоящее время не имеется.<br>Предназначено для студентов 4 и 5 курсов специальностей 071000, 200100 и направлений 5516, 5507, 5531, а также аспирантов специализирующихся в области физики и технологии роста кристаллов по специальностям: 01.24.10, 05.27.06 и 05.27.01. |
|---|---|
| Physical Description: | 93 c. |