Основы радиационных технологий. Расчет режимов ионной имплантации и профиля распределения имплантированных атомов примеси на примере изготовления кремниевых солнечных элементов n<sup>+</sup>-p-p<sup>+</sup>(p<sup>+</sup>-n-n<sup>+</sup>)-типа учебно-методическое пособие
В методических указаниях рассматриваются принципы расчета режимов ионной имплантации при формировании структур n<sup>+</sup>-p-p<sup>+</sup>(p<sup>+</sup>-n-n<sup>+</sup>)-типа и профилей распределения имплантированной примеси. Излагается методика р...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Book |
| Published: |
Москва
МИСиС
2007
|
| Subjects: | |
| Online Access: | ЭБС Консультант студента Перейти в каталог НТБ ТГАСУ |
| Summary: | В методических указаниях рассматриваются принципы расчета режимов ионной имплантации при формировании структур n<sup>+</sup>-p-p<sup>+</sup>(p<sup>+</sup>-n-n<sup>+</sup>)-типа и профилей распределения имплантированной примеси. Излагается методика расчета в программе Math Cad 2001. <br>Методические указания предназначены для студентов, обучающихся по специальностям 150601 "Материаловедение и технология новых материалов" и 210104 "Микроэлектроника и твердотельная электроника". |
|---|---|
| Physical Description: | 18 c. |