Тонкопленочные гетерокомпозиции на основе карбида кремния. Раздел: Физико-технологические основы получения гетероструктур учебно-методическое пособие

Рассматриваются основные возможности различных методов и способов для получения тонких слоев карбида кремния на различных подложках для создания устройств экстремальной электроники. Основное внимание уделяется методам формирования микро- и наноразмерных слоев на основе карбида кремния с различной...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Кузнецов, Г. Д.
Other Authors: Сафаралиев, Г. К., Стриханов, М. Н., Каргин, Н. И., Харламов, Н. А.
Format: Book
Language:Russian
Published: Москва НИЯУ МИФИ 2018
Online Access:ЭБС Лань
ЭБС Лань
Перейти в каталог НТБ ТГАСУ
LEADER 03705nam a22003011 4500
005 20230306231931.0
007 cr bn uu|uu
008 200604s2018 ru Wk 000 m rus d
020 |a 9785726224220 
040 |a RU-ToGUA  |b rus  |c RU-ToGUA  |e PSBO 
080 |a 539.216.2: 621.315.592 
084 |a 22.379  |2 rubbk 
100 1 |a Кузнецов, Г. Д.  |9 278678 
245 1 0 |a Тонкопленочные гетерокомпозиции на основе карбида кремния. Раздел: Физико-технологические основы получения гетероструктур  |h Электронный ресурс  |b учебно-методическое пособие  |c Кузнецов Г. Д., Сафаралиев Г. К., Стриханов М. Н., Каргин Н. И., Харламов Н. А. 
260 |a Москва  |b НИЯУ МИФИ  |c 2018 
300 |a 148 с. 
520 3 |a Рассматриваются основные возможности различных методов и способов для получения тонких слоев карбида кремния на различных подложках для создания устройств экстремальной электроники. Основное внимание уделяется методам формирования микро- и наноразмерных слоев на основе карбида кремния с различной кристаллографической структурой - химическому осаждению из газовой фазы, осаждению из жидкой фазы и сублимации. Основной акцент делается на возможности использования энергетического взаимодействия на границы раздела фаз для активирования процессов образования слоев - импульсного лазерного и ионно-плазменного. Рассматривается уточненная классификация методов и способов получения тонких слоев и гетероструктур на основе карбида кремния, основанная преимущественно на физических или химических процессах на границе фазообразования. Приводятся и анализируются базовые параметры и свойства полупроводникового карбида кремния, твердых растворов SiC-III-нитриды, включая полиморфизм. Предназначено для бакалавров, магистров, инженеров, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области экстремальной электроники. 
540 |a Книга из коллекции НИЯУ МИФИ - Инженерно-технические науки 
695 |i учебная 
700 1 |a Сафаралиев, Г. К.  |9 278679 
700 1 |a Стриханов, М. Н.  |9 153208 
700 1 |a Каргин, Н. И.  |9 269639 
700 1 |a Харламов, Н. А.  |9 278680 
856 4 |u https://e.lanbook.com/book/126681  |y ЭБС Лань 
856 4 1 |u https://e.lanbook.com/img/cover/book/126681.jpg  |y ЭБС Лань 
856 |y Перейти в каталог НТБ ТГАСУ  |u https://catalog.tsuab.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=785088 
999 |c 785088  |d 785088 
039 |z 2  |b 2