Тонкопленочные гетерокомпозиции на основе карбида кремния. Раздел: Физико-технологические основы получения гетероструктур учебно-методическое пособие
Рассматриваются основные возможности различных методов и способов для получения тонких слоев карбида кремния на различных подложках для создания устройств экстремальной электроники. Основное внимание уделяется методам формирования микро- и наноразмерных слоев на основе карбида кремния с различной...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | , , , |
| Format: | Book |
| Language: | Russian |
| Published: |
Москва
НИЯУ МИФИ
2018
|
| Online Access: | ЭБС Лань ЭБС Лань Перейти в каталог НТБ ТГАСУ |
| LEADER | 03705nam a22003011 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 005 | 20230306231931.0 | ||
| 007 | cr bn uu|uu | ||
| 008 | 200604s2018 ru Wk 000 m rus d | ||
| 020 | |a 9785726224220 | ||
| 040 | |a RU-ToGUA |b rus |c RU-ToGUA |e PSBO | ||
| 080 | |a 539.216.2: 621.315.592 | ||
| 084 | |a 22.379 |2 rubbk | ||
| 100 | 1 | |a Кузнецов, Г. Д. |9 278678 | |
| 245 | 1 | 0 | |a Тонкопленочные гетерокомпозиции на основе карбида кремния. Раздел: Физико-технологические основы получения гетероструктур |h Электронный ресурс |b учебно-методическое пособие |c Кузнецов Г. Д., Сафаралиев Г. К., Стриханов М. Н., Каргин Н. И., Харламов Н. А. |
| 260 | |a Москва |b НИЯУ МИФИ |c 2018 | ||
| 300 | |a 148 с. | ||
| 520 | 3 | |a Рассматриваются основные возможности различных методов и способов для получения тонких слоев карбида кремния на различных подложках для создания устройств экстремальной электроники. Основное внимание уделяется методам формирования микро- и наноразмерных слоев на основе карбида кремния с различной кристаллографической структурой - химическому осаждению из газовой фазы, осаждению из жидкой фазы и сублимации. Основной акцент делается на возможности использования энергетического взаимодействия на границы раздела фаз для активирования процессов образования слоев - импульсного лазерного и ионно-плазменного. Рассматривается уточненная классификация методов и способов получения тонких слоев и гетероструктур на основе карбида кремния, основанная преимущественно на физических или химических процессах на границе фазообразования. Приводятся и анализируются базовые параметры и свойства полупроводникового карбида кремния, твердых растворов SiC-III-нитриды, включая полиморфизм. Предназначено для бакалавров, магистров, инженеров, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области экстремальной электроники. | |
| 540 | |a Книга из коллекции НИЯУ МИФИ - Инженерно-технические науки | ||
| 695 | |i учебная | ||
| 700 | 1 | |a Сафаралиев, Г. К. |9 278679 | |
| 700 | 1 | |a Стриханов, М. Н. |9 153208 | |
| 700 | 1 | |a Каргин, Н. И. |9 269639 | |
| 700 | 1 | |a Харламов, Н. А. |9 278680 | |
| 856 | 4 | |u https://e.lanbook.com/book/126681 |y ЭБС Лань | |
| 856 | 4 | 1 | |u https://e.lanbook.com/img/cover/book/126681.jpg |y ЭБС Лань |
| 856 | |y Перейти в каталог НТБ ТГАСУ |u https://catalog.tsuab.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=785088 | ||
| 999 | |c 785088 |d 785088 | ||
| 039 | |z 2 |b 2 | ||