Постростовые технологии создания функциональных микро- и наноструктур
Современные нанотехнологии давно нашли свое применение в области создания лазерных и светодиодных структур, фотоэлектрических преобразователей, элементов оптоэлектроники и нанофотоники. Одним из наиболее ярких примеров их использования является развитие микропроцессорной техники, где произошло уме...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | , |
| Format: | Book |
| Language: | Russian |
| Published: |
Санкт-Петербург
СПбАУ РАН им. Ж.И. Алфёрова
2021
|
| Online Access: | ЭБС Лань ЭБС Лань Перейти в каталог НТБ ТГАСУ |
| LEADER | 05090nam a22002651 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 005 | 20230307001334.0 | ||
| 007 | cr bn uu|uu | ||
| 008 | 220714s2021 ru W 000 m rus d | ||
| 020 | |a 9785911551100 | ||
| 040 | |a RU-ToGUA |b rus |c RU-ToGUA |e PSBO | ||
| 080 | |a 620.3 | ||
| 084 | |a 30.3 |2 rubbk | ||
| 100 | 1 | |a Букатин, А. С. | |
| 245 | 1 | 0 | |a Постростовые технологии создания функциональных микро- и наноструктур |h Электронный ресурс |c Букатин А. С.,Мухин М. С.,Мухин И. С. |
| 260 | |a Санкт-Петербург |b СПбАУ РАН им. Ж.И. Алфёрова |c 2021 | ||
| 300 | |a 64 с. | ||
| 520 | 3 | |a Современные нанотехнологии давно нашли свое применение в области создания лазерных и светодиодных структур, фотоэлектрических преобразователей, элементов оптоэлектроники и нанофотоники. Одним из наиболее ярких примеров их использования является развитие микропроцессорной техники, где произошло уменьшение ширины затворов транзисторов с единиц микрометров до нескольких десятков нанометров. Это привело к значительному увеличению их быстродействия, увеличению плотности расположения в интегральной схеме и к снижению энергопотребления. Для создания функциональных наноструктур нового поколения требуется дальнейшее развитие постростовых методов на основе новых технологий, новых материалов и подходов, а также подготовки высококвалифицированных специалистов в этой области. В пособии рассматриваются наиболее распространенные методы создания микро- и наноструктур с упором на применение в области микро- и наноэлектроники, в том числе в привязке к современным транзисторным структурам. Отдельное внимание уделено различным методам оптической литографии, а также факторам, влияющим на ее пространственное разрешение. Выявлены области применения и рассмотрены фундаментальное ограничения фотолитографии при создании наноструктур в условиях исследовательской лаборатории. Представлено детальное обсуждение, анализ возможностей и ограничений электронной литографии, используемой для создания наноструктур с пространственным разрешением менее 10 нм, в том числе на непроводящих подложках. Последняя глава посвящена обзору физико-технических основ и приборной реализации методов газофазного осаждения полупроводниковых и диэлектрических слоев. Представленное пособие является методическим материалом, предназначенным бакалаврам старших курсов и магистрам, проходящим обучение по таким направлениям и профилям, как: Физика и техника полупроводников, Физическая электроника, Физические принципы аналитического приборостроения, Физика нанотехнологий и наноразмерных структур, Радиофизика и электроника, Физическая оптика и квантовая электроника и др. | |
| 540 | |a Книга из коллекции СПбАУ РАН им. Ж.И. Алфёрова - Нанотехнологии | ||
| 700 | 1 | |a Мухин, М. С. | |
| 700 | 1 | |a Мухин, И. С. | |
| 856 | 4 | |u https://e.lanbook.com/book/250505 |y ЭБС Лань | |
| 856 | 4 | 1 | |u https://e.lanbook.com/img/cover/book/250505.jpg |y ЭБС Лань |
| 856 | |y Перейти в каталог НТБ ТГАСУ |u https://catalog.tsuab.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=824437 | ||
| 999 | |c 824437 |d 824437 | ||
| 039 | |z 2 |b 2 | ||