Постростовые технологии создания функциональных микро- и наноструктур

Современные нанотехнологии давно нашли свое применение в области создания лазерных и светодиодных структур, фотоэлектрических преобразователей, элементов оптоэлектроники и нанофотоники. Одним из наиболее ярких примеров их использования является развитие микропроцессорной техники, где произошло уме...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Букатин, А. С.
Other Authors: Мухин, М. С., Мухин, И. С.
Format: Book
Language:Russian
Published: Санкт-Петербург СПбАУ РАН им. Ж.И. Алфёрова 2021
Online Access:ЭБС Лань
ЭБС Лань
Перейти в каталог НТБ ТГАСУ
LEADER 05090nam a22002651 4500
005 20230307001334.0
007 cr bn uu|uu
008 220714s2021 ru W 000 m rus d
020 |a 9785911551100 
040 |a RU-ToGUA  |b rus  |c RU-ToGUA  |e PSBO 
080 |a 620.3 
084 |a 30.3  |2 rubbk 
100 1 |a Букатин, А. С. 
245 1 0 |a Постростовые технологии создания функциональных микро- и наноструктур  |h Электронный ресурс  |c Букатин А. С.,Мухин М. С.,Мухин И. С. 
260 |a Санкт-Петербург  |b СПбАУ РАН им. Ж.И. Алфёрова  |c 2021 
300 |a 64 с. 
520 3 |a Современные нанотехнологии давно нашли свое применение в области создания лазерных и светодиодных структур, фотоэлектрических преобразователей, элементов оптоэлектроники и нанофотоники. Одним из наиболее ярких примеров их использования является развитие микропроцессорной техники, где произошло уменьшение ширины затворов транзисторов с единиц микрометров до нескольких десятков нанометров. Это привело к значительному увеличению их быстродействия, увеличению плотности расположения в интегральной схеме и к снижению энергопотребления. Для создания функциональных наноструктур нового поколения требуется дальнейшее развитие постростовых методов на основе новых технологий, новых материалов и подходов, а также подготовки высококвалифицированных специалистов в этой области. В пособии рассматриваются наиболее распространенные методы создания микро- и наноструктур с упором на применение в области микро- и наноэлектроники, в том числе в привязке к современным транзисторным структурам. Отдельное внимание уделено различным методам оптической литографии, а также факторам, влияющим на ее пространственное разрешение. Выявлены области применения и рассмотрены фундаментальное ограничения фотолитографии при создании наноструктур в условиях исследовательской лаборатории. Представлено детальное обсуждение, анализ возможностей и ограничений электронной литографии, используемой для создания наноструктур с пространственным разрешением менее 10 нм, в том числе на непроводящих подложках. Последняя глава посвящена обзору физико-технических основ и приборной реализации методов газофазного осаждения полупроводниковых и диэлектрических слоев. Представленное пособие является методическим материалом, предназначенным бакалаврам старших курсов и магистрам, проходящим обучение по таким направлениям и профилям, как: Физика и техника полупроводников, Физическая электроника, Физические принципы аналитического приборостроения, Физика нанотехнологий и наноразмерных структур, Радиофизика и электроника, Физическая оптика и квантовая электроника и др. 
540 |a Книга из коллекции СПбАУ РАН им. Ж.И. Алфёрова - Нанотехнологии 
700 1 |a Мухин, М. С. 
700 1 |a Мухин, И. С. 
856 4 |u https://e.lanbook.com/book/250505  |y ЭБС Лань 
856 4 1 |u https://e.lanbook.com/img/cover/book/250505.jpg  |y ЭБС Лань 
856 |y Перейти в каталог НТБ ТГАСУ  |u https://catalog.tsuab.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=824437 
999 |c 824437  |d 824437 
039 |z 2  |b 2