Технология микроэлектронных устройств: Справочник/

Технология микроэлектронных устройств: Справочник/

Библиографическая информация
Главный автор:	Готра, З. Ю. Зенон Юрьевич (Автор)
Формат:	Книга
Публикация:	М.: Радио и связь 1991
Предметы:	СПРАВОЧНИКИ ДИФФУЗИИ ПОЛУПРОВОДНИКИ МОНОКРИСТАЛЛЫ ОБРАБОТКА КРИСТАЛЛОВ ЭПИТАКСИЯ ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ ТОНКИЕ ПЛЕНКИ ЛИТОГРАФИЯ ФОТОЛИТОГРАФИЯ МИКРОСВАРКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПОДЛОЖКИ ГЕТТЕРИРОВАНИЕ
Online-ссылка:	Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Похожие документы

Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем: учебное пособие для вузов: в 2 ч./
по: Королев, М. А. Михаил Александрович, et al.
Публикация: (2010)

Технология СБИС в 2 кн.
Публикация: (1986)

Физико-химические основы технологии электронных систем: учебное пособие/
по: Чикин, Е. В. Евгений Владимирович
Публикация: (2006)

Технология и оборудование для производства микроэлектронных устройств: учебник для техникумов/
по: Борисенко, А. С. Александр Сергеевич, et al.
Публикация: (1983)

Физические основы технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем [учебное пособие для студентов вузов по направлению подготовки высшего образования 03.03.02 - Физика]
по: Орлов, Анатолий Михайлович
Публикация: (2015)

Современные микро- и нанотехнологии: учебно-методическое пособие по аудиторным практическим занятиям и самостоятельной работе для магистрантов по направлению 11.04.04 "Электроника и наноэлектроника"/
по: Чистоедова, И. А. Инна Анатольевна
Публикация: (2022)

Influence of composition of Hg1-xCdxTe(x = 0.22-0.57) epitaxial film on dynamics of accumulation and spatial distribution of electrically active radiation defects after boron implantation

Defects in arsenic implanted p+-n- and n+-p-structures based on MBE grown CdHgTe films

Дефекты в имплантированных мышьяком р+n- и n+p-структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ

Полевые транзисторы на арсениде галлия: Принципы работы и технология изготовления: Пер. с англ./
по: Вуд, К. Е. К., et al.
Публикация: (1988)

Annealing kinetics of radiation defects in boron-implanted p-Hg1-xCdxTe
по: Talipov, Niyaz Kh

Влияние состава варизонного слоя на формирование n+–n−–p-структур в имплантированных бором гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe
по: Талипов, Нияз Хатимович

Analysis of carrier species in arsenic-implanted p- and n-type Hg0.7Cd0.3Te

Технология кремниевой наноэлектроники: учебное пособие/
по: Данилина, Т. И. Тамара Ивановна, et al.
Публикация: (2015)

Влияние воздействия мощного импульсного лазерного ИК-излучения на электрофизические свойства гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1–xТе
по: Талипов, Нияз Хатимович

Радиационные эффекты в кристаллах теллурида кадмия-ртути

Введение в процессы интегральных микро- и нанотехнологий в 2 т.
Публикация: (2010)

Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках CdHgTe

Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках Cd0.3Hg0.7Te: накопление и отжиг

Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники: Учебное пособие для ПТУ: В 10 кн..
по: Мартынов Валерий Владимирович, et al.
Публикация: (1990)

Ионная имплантация в узкозонные твердые растворы CdxHg1–xTe
по: Талипов, Нияз Хатимович

Влияние режимов ионно-лучевого травления на процесс радиационного нагрева CdxHg1-xTe
по: Талипов, Нияз Хатимович

Профили структурных дефектов в имплатированных мышьяком эпитаксиальных пленках CdHgTe по данным оптического отражения

Технологические процессы микроэлектроники: Учебное пособие/
по: Романовский, М. Н. Михаил Николаевич
Публикация: (2002)

Ионная имплантация в эпитаксиальные пленки КРТ, выращенные методом МЛЭ
по: Григорьев, Денис Валерьевич

Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films

Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te

Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии/
по: Комаров, Ф. Ф. Фадей Фадеевич, et al.
Публикация: (1990)

Localization and nature of radiation donor defects in the arsenic implanted CdHgTe films grown by MBE

Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком пленках CdHgTe, выращенных МЛЭ

Ion implantation in narrow-gap CdxHg1–xTe solid solutions
по: Talipov, Niyaz Kh

Микролитография: Принципы, методы, материалы: В 2 ч.: Пер. с англ./
по: Моро, Уэйн
Публикация: (1990)

Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок [сборник статей]
Публикация: (1977)

Магниточувствительность субмикронных ионнолегированных слоев арсенида галлия
по: Карлова, Гелия Федоровна

Низкотемпературная активация ионно-имплантированных атомов бора и азота в гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe
по: Войцеховский, Александр Васильевич

6 Международная конференция по росту кристаллов, Москва, 10-16 сентября 1980 расширенные тезисы
Публикация: (1980)

Физико-технологические основы обеспечения качества СБИС
по: Красников, Геннадий Яковлевич 1958-
Публикация: (1999)

Процессы и установки электронно-ионной технологии: учебное пособие для вузов/
по: Попов, В. Ф. Владимир Федорович, et al.
Публикация: (1988)

Восьмая Российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, Томск 1-4 октября 2002 программа
Публикация: (2002)

Радиационная физика неметаллических кристаллов сборник статей
Публикация: (1971)