К вопросу о вольт - амперной характеристике систем с отрицательным сопротивлением/

К вопросу о вольт - амперной характеристике систем с отрицательным сопротивлением/

Bibliographic Details
Main Authors:	Пырченков, В.Н (Author), Аврасин, Э. Т. (Author)
Corporate Author:	Академия наук СССР(М.) Институт точной механики и вычислительной техники
Format:	Book
Published:	Ðœ. 1967
Subjects:	ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Online Access:	Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Similar Items

Некоторые особенности вольт-амперной характеристики "коротких" диодов Ганна
by: Юрченко, Василий Иванович

Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением: сборник переводных статей
Published: (1962)

Новые радиотехнические полупроводниковые приборы. Приборы с отрицательным сопротивлением/
by: Берман, Л. С. Лев Соломонович
Published: (1963)

Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением
by: Гаряинов, Станислав Александрович
Published: (1970)

Низкотемпературные вольт-амперные характеристики AlGaInP светодиодов

Расчет вольт-амперной характеристики объемного разряда высокого давления с внешней ионизацией газа
by: Кожевников, Василий Юрьевич

Влияние обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых сенсоров рентгеновского излучения
by: Шаймерденова, Лейла Калитаевна

Ограничение тока в светодиодах на основе нитридов A3B5 при прямом смещении
by: Прудаев, Илья Анатольевич

Исследование влияния размеров контактов на вольт-амперные характеристики GaAs<Cr> детекторов
by: Шаймерденова, Лейла Калитаевна

Влияние размеров контактов на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых детекторов, компенсированных хромом
by: Шаймерденова, Лейла Калитаевна

Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки на основе GaAs
by: Нетудыхатко, А. В.

Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки на основе арсенида галлия
by: Захаров, Д. Н.

Влияние конструкции активной области AlGaInP светодиодов на низкотемпературные вольт-амперные характеристики
by: Олейник, Владимир Леонидович

Температурные зависимости вольт-амперных характеристик GaAs:Cr-структур c различными контактами
by: Цуканов, Владимир Андреевич

Влияние гидростатического давления на вольт-амперные характеристики ???-y-n структур из GaAs: Fe
by: Вилисов, Анатолий Александрович

Туннельная рекомбинация и вольт-амперные характеристики структур на основе твердого раствора InGaN
by: Потанахина, Л. Н.

Влияние методов обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенидгаллиевых сенсоров рентгеновского излучения

Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом
by: Щербаков, Иван Дмитриевич

Термостабильность МДП-конденсаторов на основе SiO2 и Si3N4
by: Олейник, Владимир Леонидович

Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом

Исследование ВАХ ЩГК в сверхсильных электрических полях
by: Еханин, С. Г.

Особенности вольт-амперных характеристик диодных структур на основе арсенида галлия, компенсированного примесями с глубокими уровнями
by: Гаман, Василий Иванович 1929-2021

Влияние водорода на вольт-амперные характеристики структур Pd/n-In0.53Ga0.47As
by: Хлудкова, Людмила Станиславовна

Влияние термообработки на электрические характеристики и эффективность сбора заряда сенсоров рентгеновского излучения на основе арсенида галлия, компенсированного хромом

Влияние электрического поля на процессы Г-Х рассеяния электронов в гетероструктурах GaAs/AlAs(001)
by: Воронков, А. А.

Вольт-амперные характеристики nBn-структур на основе эпитаксиальных пленок кадмий-ртуть-теллур

Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN

Нелинейные свойства полупроводникового диода в импульсном режиме
by: Быков, Александр Геннадьевич

Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P

Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P

Влияние дефектов и примесей на спектры электролюминесценции и вольтамперные характеристики алмаза
by: Бородулин, Захар Игоревич

Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Расчет удельной электрической проводимости металлополимерных композитов
by: Шульпеков, Александр Михайлович

Расчет электрических характеристик детекторных структур на основе арсенида галлия
by: Зенкова, Анастасия Дмитриевна

Влияние температуры на механизм инжекции носителей в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGan/Gan

Электролюминесценция галогеновых комплексов с одновалентной медью: ОСИД-устройства и DFT-моделирование

Электронный ключ. Электронные цепи и микросхемотехника: руководство к лабораторной работе/
by: Топор, А. В. Александр Васильевич, et al.
Published: (2009)

Исследование фотоприемников ультрафиолетового диапазона на основе нитрида галлия

Исследование влияния материала электродов сенсибилизированных солнечных элементов на емкостные и электрические характеристики

Анализ работы многорельсового электромагнитного ускорителя твердых тел с прямым питанием от импульсной магнитогидродинамической установки