Оптические свойства наноструктур: учебное пособие/

Оптические свойства наноструктур: учебное пособие/

Библиографическая информация
Главные авторы:	Воробьев, Л. Е. Леонид Евгеньевич (Автор), Ивченко, Е. Л. Еугениюс Левович (Автор), Фирсов, Д. А. Дмитрий Анатольевич (Автор), Шалыгин, В. А. Вадим Александрович (Автор)
Другие авторы:	Ильин, В. И. (Редактор), Шик, А. Я. (Редактор)
Формат:	Книга
Публикация:	СПб.: Наука 2001
Серии:	Новые разделы физики полупроводников
Предметы:	УЧЕБНЫЕ ПОСОБИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКИ ЭЛЕКТРОНЫ ФОТОНЫ ЭКСИТОНЫ НИЗКОРАЗМЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ КВАНТОВЫЕ ЯМЫ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ РАССЕЯНИЕ СВЕТ ОПТИКА
Online-ссылка:	Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Похожие документы

Оптические свойства наноструктур [учебное пособие для вузов по направлению "Техническая физика"]
Публикация: (2001)

Фотолюминесценция гетероструктур HgCdTe с множественными квантовыми ямами
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках

Спектры фото- и электролюминесценции гетероструктур со множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN
по: Бурмистров, Евгений Романович

Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной учебное пособие
по: Шамирзаев, Т. С.
Публикация: (2013)

Физика низкоразмерных систем: Учебное пособие для вузов/
по: Шик Александр Яковлевич, et al.
Публикация: (2001)

Релятивистские поправки в теории наноструктур
по: Караваев, Геннадий Федорович

Рассеяние носителей заряда на ионах примеси в гетероструктуре InAs/AlSb
по: Бурмистров, Евгений Романович

Низкоразмерные структуры на основе HgCdTe для физических исследований и приборных применений

Comparative analysis of efficiency droop in InGaN/GaN lightemitting diodes for electrical and optical pumping conditions
по: Kopyev, Viktor V.

Влияние эффектов самополяризации и экситон-фононного взаимодействия на энергию экситона в нанопленках дииодида свинца
по: Крамарь, Валерий Максимович

Optics of semiconductors and their nanostructures
Публикация: (2004)

Последовательно-параллельная эквивалентная схема гетероструктуры с квантовыми ямами
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Анализ энергетического спектра гетероструктур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и InAs/GaAs квантовыми точками по данным емкостной спектроскопии и спектроскопии полной проводимости
по: Кузнецова, А. Н.

Оптические и фотоэлектрические свойства светодиодных гетероструктур на основе GaN

Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

Псевдопотенциальные расчеты и моделирование электронных и дырочных состояний в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
по: Караваев, Геннадий Федорович

Dynamics of vacancy formation and distribution in semiconductor heterostructures: Effect of thermally generated intrinsic electrons

Определение элементов эквивалентной схемы гетероструктур с множественными квантовыми ямами
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN
по: Копьев, Виктор Васильевич

Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе Cd{\dn х}Hg{\dn 1-х}Те с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10/
по: Горн, Д. И. Дмитрий Игоревич
Публикация: (2012)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
по: Караваев, Геннадий Федорович

Температурная зависимость квантового выхода структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции

Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1–x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P

Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P

Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Effect of the barrier thickness on the optical properties of InGaN/GaN/Al2O3 (0001) LED heterostructures

Photoluminescence and terahertz generation in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diode heterostructures under laser excitation

Спектры фотолюминесценции структур HgCdTe с множественными квантовыми ямами
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Температурные зависимости экситонной люминесценции в беспримесном алмазе
по: Попова, Алина Сергеевна

Radiative recombination in narrow gap HgTe/CdHgTe quantum well heterostructures for laser applications

Спектральные характеристики гетероструктур для светодиодов на основе твердых растворов
по: Ломов, Евгений Юрьевич

Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке

Фононный спектр LED-гетероструктуры InGaN/GaN с квантовыми ямами
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Эквивалентная схема гетероструктуры с множественными квантовыми ямами
по: Давыдов, Валерий Николаевич

Влияние различных методов отжига на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Ge/Si с множественными квантовыми ямами

Теоретическая модель описания спектров фотолюминесценции структур КРТ с квантовыми ямами
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Квантовые ямы InGaAs/GaAs, выращенные методом МЛЭ на искусственных подложках GaAs/Si(001)

Исследование квантовых ям в светодиодных структурах на основе твердого раствора AlGaInP методом спектроскопии адмиттанса
по: Брудный, Павел Александрович

Генерация терагерцового излучения в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при двухфотонном возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами