Оптические свойства наноструктур: учебное пособие/

Оптические свойства наноструктур: учебное пособие/

Bibliographic Details
Main Authors:	Воробьев, Л. Е. Леонид Евгеньевич (Author), Ивченко, Е. Л. Еугениюс Левович (Author), Фирсов, Д. А. Дмитрий Анатольевич (Author), Шалыгин, В. А. Вадим Александрович (Author)
Other Authors:	Ильин, В. И. (Editor), Шик, А. Я. (Editor)
Format:	Book
Published:	СПб.: Наука 2001
Series:	Новые разделы физики полупроводников
Subjects:	УЧЕБНЫЕ ПОСОБИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКИ ЭЛЕКТРОНЫ ФОТОНЫ ЭКСИТОНЫ НИЗКОРАЗМЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ КВАНТОВЫЕ ЯМЫ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ РАССЕЯНИЕ СВЕТ ОПТИКА
Online Access:	Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Similar Items

Оптические свойства наноструктур [учебное пособие для вузов по направлению "Техническая физика"]
Published: (2001)

Фотолюминесценция гетероструктур HgCdTe с множественными квантовыми ямами
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках

Спектры фото- и электролюминесценции гетероструктур со множественными квантовыми ямами InxGa1-xN/GaN
by: Бурмистров, Евгений Романович

Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной учебное пособие
by: Шамирзаев, Т. С.
Published: (2013)

Физика низкоразмерных систем: Учебное пособие для вузов/
by: Шик Александр Яковлевич, et al.
Published: (2001)

Релятивистские поправки в теории наноструктур
by: Караваев, Геннадий Федорович

Рассеяние носителей заряда на ионах примеси в гетероструктуре InAs/AlSb
by: Бурмистров, Евгений Романович

Comparative analysis of efficiency droop in InGaN/GaN lightemitting diodes for electrical and optical pumping conditions
by: Kopyev, Viktor V.

Низкоразмерные структуры на основе HgCdTe для физических исследований и приборных применений

Влияние эффектов самополяризации и экситон-фононного взаимодействия на энергию экситона в нанопленках дииодида свинца
by: Крамарь, Валерий Максимович

Optics of semiconductors and their nanostructures
Published: (2004)

Последовательно-параллельная эквивалентная схема гетероструктуры с квантовыми ямами
by: Давыдов, Валерий Николаевич

Анализ энергетического спектра гетероструктур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и InAs/GaAs квантовыми точками по данным емкостной спектроскопии и спектроскопии полной проводимости
by: Кузнецова, А. Н.

Оптические и фотоэлектрические свойства светодиодных гетероструктур на основе GaN

Влияние толщины барьеров светодиодных гетероструктур (0001) InGaN/GaN/Al2O3 на их оптические характеристики

Псевдопотенциальные расчеты и моделирование электронных и дырочных состояний в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
by: Караваев, Геннадий Федорович

Dynamics of vacancy formation and distribution in semiconductor heterostructures: Effect of thermally generated intrinsic electrons

Определение элементов эквивалентной схемы гетероструктур с множественными квантовыми ямами
by: Давыдов, Валерий Николаевич

Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах на основе InGaN/GaN
by: Копьев, Виктор Васильевич

Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе Cd{\dn х}Hg{\dn 1-х}Те с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10/
by: Горн, Д. И. Дмитрий Игоревич
Published: (2012)

Спектры фотолюминесценции структур HgCdTe с множественными квантовыми ямами
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Effect of the barrier thickness on the optical properties of InGaN/GaN/Al2O3 (0001) LED heterostructures

Photoluminescence and terahertz generation in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diode heterostructures under laser excitation

Температурная зависимость квантового выхода структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
by: Караваев, Геннадий Федорович

Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P

Перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям (AlxGa1-x)0.5In0.5P/(Al0.54Ga0.46)0.5In0.5P

Внешний квантовый выход светодиодных структур InGaN/GaN, выращенных на профилированной сапфировой подложке

Спектральные характеристики гетероструктур для светодиодов на основе твердых растворов
by: Ломов, Евгений Юрьевич

Эквивалентная схема гетероструктуры с множественными квантовыми ямами
by: Давыдов, Валерий Николаевич

Фононный спектр LED-гетероструктуры InGaN/GaN с квантовыми ямами
by: Давыдов, Валерий Николаевич

Radiative recombination in narrow gap HgTe/CdHgTe quantum well heterostructures for laser applications

Температурные зависимости экситонной люминесценции в беспримесном алмазе
by: Попова, Алина Сергеевна

Оптическая спектроскопия объемных полупроводников и наноструктур [учебное пособие для студентов, обучающихся по направлению "Прикладные математика и физика", а также для студентов, обучающихся по другим направлениям и специальностям в области естественных и математических наук, техники и технологии]
by: Тимофеев, Владислав Борисович
Published: (2015)

Теоретическая модель описания спектров фотолюминесценции структур КРТ с квантовыми ямами
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Квантовые ямы InGaAs/GaAs, выращенные методом МЛЭ на искусственных подложках GaAs/Si(001)

Влияние различных методов отжига на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Ge/Si с множественными квантовыми ямами

Рекомбинация экситонов, связанных на донорно-акцепторных парах, в δ-легированных GaAs/AlAs сверхрешетках второго ряда