Полевые транзисторы на арсениде галлия: Принципы работы и технология изготовления: Пер. с англ./

Библиографическая информация
Главные авторы:	Вуд, К. Е. К. (Автор), Линдквист, П. Ф. (Автор), Форд, У. М. (Автор), Холлан, Л. (Автор), Халлайс, Д. (Автор)
Другие авторы:	Ди Лоренцо, Д. В. (Редактор), Канделуола, Д. Д. (Редактор), Петров, Г. В.
Формат:	Книга
Публикация:	М.: Радио и связь 1988
Предметы:	ПОДЛОЖКИ ВЫРАЩИВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ ЭПИТАКСИЯ НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА ОМИЧЕСКИЕ КОНТАКТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ ЗАЩИТА ОТЖИГ ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ ПОСТОЯННЫЙ ТОК ТОПОЛОГИЯ КРИСТАЛЛА ТЕПЛОВЫЕ ПРОЦЕССЫ ТЕПЛОВОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ СХЕМОТЕХНИКА
Online-ссылка:	Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Описание
Объем:	494[2] с.: а-ил
ISBN:	5256001361

Похожие документы