Полевые транзисторы на арсениде галлия: Принципы работы и технология изготовления: Пер. с англ./

Полевые транзисторы на арсениде галлия: Принципы работы и технология изготовления: Пер. с англ./

Bibliographic Details
Main Authors:	Вуд, К. Е. К. (Author), Линдквист, П. Ф. (Author), Форд, У. М. (Author), Холлан, Л. (Author), Халлайс, Д. (Author)
Other Authors:	Ди Лоренцо, Д. В. (Editor), Канделуола, Д. Д. (Editor), Петров, Г. В.
Format:	Book
Published:	М.: Радио и связь 1988
Subjects:	ПОДЛОЖКИ ВЫРАЩИВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ ЭПИТАКСИЯ НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА ОМИЧЕСКИЕ КОНТАКТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ ЗАЩИТА ОТЖИГ ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ ПОСТОЯННЫЙ ТОК ТОПОЛОГИЯ КРИСТАЛЛА ТЕПЛОВЫЕ ПРОЦЕССЫ ТЕПЛОВОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ СХЕМОТЕХНИКА
Online Access:	Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Similar Items

Модернизация и исследование характеристик светодиода белого свечения для поверхностного монтажа: автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата технических наук. 05.11.07/
by: Солдаткин, В. С. Василий Сергеевич
Published: (2013)

Модернизация и исследование характеристик светодиода белого свечения для поверхностного монтажа: диссертация на соискании учёной степени кандидата технических наук. 05.11.07/
by: Солдаткин, В. С. Василий Сергеевич
Published: (2013)

Измерение времени жизни неравновесных носителей заряда в поликристаллическом кремнии СВЧ-методом

Определение времени жизни неравновесных носителей заряда в полуизолирующем GaAs, компенсированном хромом

Hall-effect studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing

Сборник задач по физике полупроводников учебное пособие
by: Баранов, Анатолий Вениаминович
Published: (1986)

Активационный отжиг имплантированных As МЛЭ структур CdHgTe

Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия: диссертация ... кандидата технических наук: 01.04.04/
by: Федин, И. В. Иван Владимирович
Published: (2019)

Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия: автореферат ... кандидата технических наук: 01.04.04/
by: Федин, И. В. Иван Владимирович
Published: (2019)

Физика полупроводников учебник : [для студентов физических и технических специальностей ]
by: Шалимова, Клавдия Васильевна
Published: (2016)

Физика полупроводников учебник
by: Шалимова, Клавдия Васильевна
Published: (2010)

Фоторефрактивные эффекты в органических пьезокристаллах Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.03
by: Кириллов, Андрей Михайлович
Published: (2000)

Измерение подвижности носителей заряда: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
by: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Published: (2007)

Измерение подвижности носителей заряда в органических светоизлучающих диодах методом переходной электролюминесценции
by: Зятиков, Илья Александрович

Определение времени жизни носителей заряда методом модуляции проводимости: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
by: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Published: (2007)

Наноэлектроника: учебное пособие для вузов/
by: Борисенко, В. Е. Виктор Евгеньевич, et al.
Published: (2012)

Влияние температуры обработки на средний размер зерна УМЗ-титана

Влияние дозы имплантации на фазовый состав УМЗ-титана

Определение диффузионной длины и времени жизни неравновесных носителей заряда: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
by: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Published: (2007)

Влияние зарядового состояния радиационных дефектов на процессы их генерации и отжига в соединениях GaAs и InP
by: Пешев, Владимир Викторович

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures

Физика полупроводников [учебник для вузов по специальности "Полупроводниковые и микроэлектронные приборы"]
by: Шалимова, Клавдия Васильевна
Published: (1976)

Transport of non-equilbrium carriers in space charge region of p-ν-n detectors from Si GaAs

Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films

Электрические и фотоэлектрические свойства поликристаллического кремния после высокоинтенсивной короткоимпульсной имплантации ионов
by: Кабышев, Александр Васильевич

СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов: автореферат диссертации ... кандидата технических наук: 05.27.01/
by: Дроздов, Д. Г. Дмитрий Геннадьевич
Published: (2017)

Исследование барьерного слоя в металлах и его влияние на кинетику и фазообразование в слоистой системе Fe-Be: автореферат диссертации ... кандидата физико-математических наук: 01.04.07/
by: Нуркенов, С. А. Серик Амангельдинович
Published: (2017)

Свойства структур на основе пленок оксида галлия
by: Лыгденова, Туяна Зоригтоевна

Особенности стационарной фотопроводимости высокоомных полупроводников при локальном освещении

Методы измерения дрейфовой подвижности носителей заряда в излучающих структурах на основе полимерных органических полупроводниковых материалов
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов: научное издание/
by: Пека, Г. П. Генриэтта Павловна, et al.
Published: (1986)

Defects in arsenic implanted p+-n- and n+-p-structures based on MBE grown CdHgTe films

Сборник задач по физике полупроводников (учебное пособие для практических занятий)
by: Малянов, Станислав Васильевич
Published: (2011)

Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на арсениде галлия: научное издание/
by: Черняев, А. В. Александр Владимирович
Published: (1990)

Дефекты в имплантированных мышьяком р+n- и n+p-структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ

Admittance studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing

Accumulation and annealing of radiation donor defects in arsenic-implanted Hg0.7Cd0.3Te films

Неквазистатическая модель p–n-перехода без рекурсии на пользовательском уровне
by: Семенов, Эдуард Валерьевич

Эвристическая формула для оценки эффективной длины диффузии фотогенерированных носителей заряда в ИК-фотоприемных матрицах
by: Вишняков, Алексей Витальевич

Электронные явления переноса в полупроводниках
by: Аскеров, Бахрам Махрали оглы
Published: (1985)