Полевые транзисторы на арсениде галлия: Принципы работы и технология изготовления: Пер. с англ./

Полевые транзисторы на арсениде галлия: Принципы работы и технология изготовления: Пер. с англ./

Библиографическая информация
Главные авторы:	Вуд, К. Е. К. (Автор), Линдквист, П. Ф. (Автор), Форд, У. М. (Автор), Холлан, Л. (Автор), Халлайс, Д. (Автор)
Другие авторы:	Ди Лоренцо, Д. В. (Редактор), Канделуола, Д. Д. (Редактор), Петров, Г. В.
Формат:	Книга
Публикация:	М.: Радио и связь 1988
Предметы:	ПОДЛОЖКИ ВЫРАЩИВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ ЭПИТАКСИЯ НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА ОМИЧЕСКИЕ КОНТАКТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ ЗАЩИТА ОТЖИГ ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ ПОСТОЯННЫЙ ТОК ТОПОЛОГИЯ КРИСТАЛЛА ТЕПЛОВЫЕ ПРОЦЕССЫ ТЕПЛОВОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ СХЕМОТЕХНИКА
Online-ссылка:	Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Похожие документы

Модернизация и исследование характеристик светодиода белого свечения для поверхностного монтажа: автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата технических наук. 05.11.07/
по: Солдаткин, В. С. Василий Сергеевич
Публикация: (2013)

Модернизация и исследование характеристик светодиода белого свечения для поверхностного монтажа: диссертация на соискании учёной степени кандидата технических наук. 05.11.07/
по: Солдаткин, В. С. Василий Сергеевич
Публикация: (2013)

Измерение времени жизни неравновесных носителей заряда в поликристаллическом кремнии СВЧ-методом

Определение времени жизни неравновесных носителей заряда в полуизолирующем GaAs, компенсированном хромом

Сборник задач по физике полупроводников учебное пособие
по: Баранов, Анатолий Вениаминович
Публикация: (1986)

Hall-effect studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing

Активационный отжиг имплантированных As МЛЭ структур CdHgTe

Фоторефрактивные эффекты в органических пьезокристаллах Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.03
по: Кириллов, Андрей Михайлович
Публикация: (2000)

Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия: диссертация ... кандидата технических наук: 01.04.04/
по: Федин, И. В. Иван Владимирович
Публикация: (2019)

Мощные быстродействующие диоды на основе гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия: автореферат ... кандидата технических наук: 01.04.04/
по: Федин, И. В. Иван Владимирович
Публикация: (2019)

Измерение подвижности носителей заряда: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
по: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Публикация: (2007)

Измерение подвижности носителей заряда в органических светоизлучающих диодах методом переходной электролюминесценции
по: Зятиков, Илья Александрович

Наноэлектроника: учебное пособие для вузов/
по: Борисенко, В. Е. Виктор Евгеньевич, et al.
Публикация: (2012)

Определение времени жизни носителей заряда методом модуляции проводимости: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
по: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Публикация: (2007)

Физика полупроводников учебник : [для студентов физических и технических специальностей ]
по: Шалимова, Клавдия Васильевна
Публикация: (2016)

Физика полупроводников учебник
по: Шалимова, Клавдия Васильевна
Публикация: (2010)

Определение диффузионной длины и времени жизни неравновесных носителей заряда: Руководство к лабораторной работе по курсу "Физические основы микроэлектроники" для студентов специальностей 210201 и 210202/
по: Несмелов, Н. С. Николай Сергеевич, et al.
Публикация: (2007)

Влияние температуры обработки на средний размер зерна УМЗ-титана

Влияние дозы имплантации на фазовый состав УМЗ-титана

Физика полупроводников [учебник для вузов по специальности "Полупроводниковые и микроэлектронные приборы"]
по: Шалимова, Клавдия Васильевна
Публикация: (1976)

Влияние зарядового состояния радиационных дефектов на процессы их генерации и отжига в соединениях GaAs и InP
по: Пешев, Владимир Викторович

Transport of non-equilbrium carriers in space charge region of p-ν-n detectors from Si GaAs

Свойства структур на основе пленок оксида галлия
по: Лыгденова, Туяна Зоригтоевна

Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films

СВЧ комплементарный биполярный технологический процесс с высокой степенью симметрии динамических параметров транзисторов: автореферат диссертации ... кандидата технических наук: 05.27.01/
по: Дроздов, Д. Г. Дмитрий Геннадьевич
Публикация: (2017)

Исследование барьерного слоя в металлах и его влияние на кинетику и фазообразование в слоистой системе Fe-Be: автореферат диссертации ... кандидата физико-математических наук: 01.04.07/
по: Нуркенов, С. А. Серик Амангельдинович
Публикация: (2017)

Электрические и фотоэлектрические свойства поликристаллического кремния после высокоинтенсивной короткоимпульсной имплантации ионов
по: Кабышев, Александр Васильевич

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures

Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов: научное издание/
по: Пека, Г. П. Генриэтта Павловна, et al.
Публикация: (1986)

Методы измерения дрейфовой подвижности носителей заряда в излучающих структурах на основе полимерных органических полупроводниковых материалов
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Сборник задач по физике полупроводников (учебное пособие для практических занятий)
по: Малянов, Станислав Васильевич
Публикация: (2011)

Defects in arsenic implanted p+-n- and n+-p-structures based on MBE grown CdHgTe films

Особенности стационарной фотопроводимости высокоомных полупроводников при локальном освещении

Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на арсениде галлия: научное издание/
по: Черняев, А. В. Александр Владимирович
Публикация: (1990)

Дефекты в имплантированных мышьяком р+n- и n+p-структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ

Эвристическая формула для оценки эффективной длины диффузии фотогенерированных носителей заряда в ИК-фотоприемных матрицах
по: Вишняков, Алексей Витальевич

Неквазистатическая модель p-n-перехода без рекурсии на пользовательском уровне
по: Семенов, Эдуард Валерьевич

Электронные явления переноса в полупроводниках
по: Аскеров, Бахрам Махрали оглы
Публикация: (1985)

Admittance studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing

Accumulation and annealing of radiation donor defects in arsenic-implanted Hg0.7Cd0.3Te films