Полевые транзисторы на арсениде галлия: Принципы работы и технология изготовления: Пер. с англ./

Bibliographic Details
Main Authors:	Вуд, К. Е. К. (Author), Линдквист, П. Ф. (Author), Форд, У. М. (Author), Холлан, Л. (Author), Халлайс, Д. (Author)
Other Authors:	Ди Лоренцо, Д. В. (Editor), Канделуола, Д. Д. (Editor), Петров, Г. В.
Format:	Book
Published:	М.: Радио и связь 1988
Subjects:	ПОДЛОЖКИ ВЫРАЩИВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ ЭПИТАКСИЯ НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА ОМИЧЕСКИЕ КОНТАКТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ ЗАЩИТА ОТЖИГ ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ ПОСТОЯННЫЙ ТОК ТОПОЛОГИЯ КРИСТАЛЛА ТЕПЛОВЫЕ ПРОЦЕССЫ ТЕПЛОВОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ СХЕМОТЕХНИКА
Online Access:	Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Similar Items