Процессы и установки электронно-ионной технологии: учебное пособие для вузов/

Процессы и установки электронно-ионной технологии: учебное пособие для вузов/

Библиографическая информация
Главные авторы:	Попов, В. Ф. Владимир Федорович (Автор), Горин, Ю. Н. Юрий Николаевич (Автор)
Формат:	Книга
Публикация:	М.: Высшая школа 1988
Предметы:	УЧЕБНЫЕ ПОСОБИЯ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ ЛИТОГРАФИЯ ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ РАСПЫЛЕНИЕ МАТЕРИАЛОВ ИОННАЯ ЛИТОГРАФИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
Online-ссылка:	Перейти в каталог Библиотеки ТУСУР

Похожие документы

Оборудование для создания и исследования свойств объектов наноэлектроники: учебное пособие/
по: Данилина, Т. И. Тамара Ивановна, et al.
Публикация: (2011)

Методы нанолитографии достижения и перспективы
Публикация: (2008)

Основы технологии сверхбольших интегральных схем: Пер. с яп./
по: Таруи, Я. Ясуо
Публикация: (1985)

Технология СБИС в 2 кн.
Публикация: (1986)

Нанотехнологии в полупроводниковой электронике
Публикация: (2007)

Основы вакуумных технологий: учебное пособие/
по: Орликов, Л. Н. Леонид Николаевич
Публикация: (2021)

Нанотехнологии в полупроводниковой электронике
Публикация: (2004)

TEM studies of structural defects in HgTe/HgCdTe quantum wells

Влияние различных стадий процессов ионной имплантации и отжига в МЛЭ HgCdTe на адмиттанс тестовых структур металл-диэлектрик-полупроводник

Альтернативные технологии создания структур с квантовыми точками Ge/Si

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ КРТ после ионной имплантации бора

Ионная имплантация в гетероэпитаксиальные слои и кристаллы p-CdxHg1-xTe
по: Войцеховский, Александр Васильевич

The effect of As+ Ion implantation and annealing on the electrical properties of near-surface layers in graded-gap n-Hg0.78Cd0.22Te films

Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках Cd0.3Hg0.7Te: накопление и отжиг

Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках CdHgTe

Особенности создания кремний-германиевых наноструктур с квантовыми точками для перспективных приборов микро- и оптоэлектроники

Analysis of carrier species in arsenic-implanted p- and n-type Hg0.7Cd0.3Te

Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком МЛЭ пленках CdHgTe

Исследование методом спектроскопии адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe после ионной имплантации бора

Справочник по микроскопии для нанотехнологии пер. с англ.
Публикация: (2011)

Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films

Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te

Влияние температуры роста на статистические параметры морфологии поверхности GaN
по: Новиков, Вадим Александрович

Справочник по вакуумной электронике. Компоненты и устройства
Публикация: (2011)

Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях CdXHg1-XTe
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Defects in arsenic implanted p+-n- and n+-p-structures based on MBE grown CdHgTe films

Состав носителей в имплантированных бором МЛЭ пленках р-CdHgTe

Морфология поверхности и кристаллографические свойства пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на вицинальных подложках Si(001)

Введение в процессы интегральных микро- и нанотехнологий: учебное пособие для вузов: в 2 т./
по: Акуленок, М. В. Марина Викторовна, et al.
Публикация: (2011)

Controlling of Ge quantum dots arrays parameters in Ge/Si nanoheterostructures grown by molecular beam epitaxy method

Дефекты в имплантированных мышьяком р+n- и n+p-структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ

Admittance studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing

Influence of As+ Ion implantation on properties of MBE HgCdTe near-surface layer characterized by metal-insulator-semiconductor techniques

Совершенствование технологии синтеза гетероструктур Si/Ge c квантовыми точками Ge методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Пищагин, Антон Александрович

Электрические и оптические свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах

Ранняя русская литография из собрания Эрмитажа каталог выставки
Публикация: (1976)

Синтез квантовых точек Ge на Si(100) и Si(111) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Дирко, Владимир Владиславович

Влияние параметров синтеза гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge на морфологию массива квантовых точек Ge
по: Пищагин, Антон Александрович

Влияние состава варизонного слоя на формирование n+-n−-p-структур в имплантированных бором гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe
по: Талипов, Нияз Хатимович

Технология микроэлектронных устройств: Справочник/
по: Готра, З. Ю. Зенон Юрьевич
Публикация: (1991)